文献

J-GLOBAL ID：201702222410582509   整理番号：17A0955209

Si(110)ウエハー上の蓄積モードのn-およびp-MOSFETの性能

Performances of accumulation-mode n- and p-MOSFETs on Si(110) wafers

著者 (3件)： GAUBERT Philippe (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TERAMOTO Akinobu (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SUGAWA Shigetoshi (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 4S  ページ： 04CD15.1-04CD15.7  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(110)ウエハー上の蓄積モードのn-およびp-MOSFETの電気的およびノイズ性能を調べ,Si(100)またはSi(111)ウエハー上に作製された従来のMOSFETと比較した。電気的性能に関しては,蓄積モードのp-MOSFETはあらゆる面で優れている。しかし,n型は同じタイプのウエハー上に作製されたときの従来のトランジスタよりは優れているものの,最良の性能を提供しなかった。Si(100)ウエハー上に作製された従来の反転モードn-MOSFETが,依然として最良の性能を示した。それぞれp-およびn-型トランジスタにおけるドライバリテイの改善と低減により,ドライバリテイのバランスが非常によいため,Si(110)ウエハー上に作製された蓄積モードのMOSFETが相補技術に非常によく適したものになる。ノイズ評価に関しては,Si(110)ウエハー上の蓄積モードMOSFETは,特にp型の場合,Si(110)ウエハー上の反転トランジスタと遜色がないものの,最大のノイズレベルを示した。最小のノイズレベルはSi(100)ウエハー上の従来の反転モードMOSFETに対して得られ,トランジスタが作製されるウエハーの種類がその理由である。実際,高品質のSi/SiO²界面は(100)結晶配向をもつシリコンウエハーに対して良好に作製され,界面欠陥が少なく,結果としてノイズが小さかった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  半導体 ,  *ウエハ【IC】 ,  *MOSFET ,  *モード ,  *雑音 ,  二酸化ケイ素
準シソーラス用語： pMOSFET ,  nMOSFET ,  *蓄積モード ,  反転モード

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (54件)：

• P. Gaubert, A. Teramoto, and T. Ohmi, Solid-State Electron. 54, 420 (2010).
• J. Mitard, B. De Jaeger, F. E. Leys, G. Hellings, K. Martens, G. Eneman, D. P. Brunco, R. Loo, J. C. Lin, D. Shamiryan, T. Vandeweyer, G. Winderickx, E. Vrancken, C. H. Yu, K. De Meyer, M. Caymax, L. Pantisano, M. Meuris, and M. M. Heyns, IEDM Tech. Dig., 2008, p. 873.
• S. Beysserie, J. Branlard, S. Aboud, S. M. Goodnick, and M. Saraniti, IEEE Trans. Electron Devices 53, 2545 (2006).
• J. Lin, S. Lee, H.-J. Oh, W. Yang, G. Q. Lo, D. L. Kwong, and D. Z. Chi, IEDM Tech. Dig., 2008, p. 401.
• A. Teramoto, T. Hamada, M. Yamamoto, P. Gaubert, H. Akahori, K. Nii, M. Hirayama, K. Arima, K. Endo, S. Sugawa, and T. Ohmi, IEEE Trans. Electron Devices 54, 1438 (2007).

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  ウエハー ,  蓄積モード ,  MOSFET