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J-GLOBAL ID：200902232136946595   整理番号：07A0602248

Si(110)表面上の高性能CMOSのための超高速キャリア移動度

Very High Carrier Mobility for High-Performance CMOS on a Si(110) Surface

著者 (11件)： TERAMOTO Akinobu (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HAMADA Tatsufumi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YAMAMOTO Masashi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  GAUBERT Philippe (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  AKAHORI Hiroshi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  NII Keiichi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HIRAYAMA Masaki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  ARIMA Kenta (Osaka Univ., Suita, JPN) ,  ENDO Katsuyoshi (Osaka Univ., Suita, JPN) ,  SUGAWA Shigetoshi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OHMI Tadahiro (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 54  号： 6  ページ： 1438-1445  発行年： 2007年06月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOSFETの小型化によりLSIデバイスの集積レベルと性能を...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： フリッカ雑音 ,...

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分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  高性能 ,  CMOS ,  キャリア移動度