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J-GLOBAL ID：201702223124119668   整理番号：17A1819445

異なる方位のシリコンウエハ上に成長させた薄いゲルマニウムエピ層の断面透過型電子顕微鏡による研究の比較【Powered by NICT】

Comparison of cross-sectional transmission electron microscope studies of thin germanium epilayers grown on differently oriented silicon wafers

著者 (4件)： NORRIS D.J. (Kroto Centre for High-Resolution Imaging and Analysis, Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, Sheffield, U.K.) ,  MYRONOV M. (Department of Physics, University of Warwick, Coventry, U.K.) ,  LEADLEY D.R. (Department of Physics, University of Warwick, Coventry, U.K.) ,  WALTHER T. (Kroto Centre for High-Resolution Imaging and Analysis, Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, Sheffield, U.K.)
資料名： Journal of Microscopy  (Journal of Microscopy)
巻： 268  号： 3  ページ： 288-297  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0454B  ISSN： 0022-2720  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三種々のSi基板方位のためのゲルマニウム-オン-シリコン(Ge/Si)システムにおける単独運転の開始の透過型電子顕微鏡解析:(001),(110)と(111)Siを比較した。Geは減圧化学気相蒸着により堆積し,すべてのSiウエハの表面上の島を形成する;が,堆積した島の形態(アスペクト比)はウエハの各タイプで異なっていた。さらに,歪緩和の機構は,成長表面と(111)滑り面の異なる配向のためにウエハの各タイプで異なっていた。(001)Si上に成長させたGeは転位による塑性緩和の証拠は,島は合体した可能性がある場合には,後に核形成するない最初はシュードモルフィックに歪んだ,相互拡散したSiGe台座上の高アスペクト比(クラスタまたはドーム)の小さな,ほぼ対称島を得,Matthews-Blakeslee限界に達した。(110)Siでは,島が平坦でありより非対称であり,これは転位によるいくつかの島の塑性緩和と相関していた。(111)Siウエハ上に成長させた場合,多数の転位によって起こる,またtwinning即時歪緩和の証拠である。双晶膜/基板界面の場合には,ある種の(非晶質)領域周辺の延伸Burgers回路は[110]に沿って)におけるエッジ型a/4[1 12]Burgersベクトル成分を持つ非閉包を示した。厚さ半単位格子の倍数の微小双晶はSi(111)バッファ層とそれを覆うGe材料の間の成長界面で発生する観察された。ウエハの各タイプの界面形態を説明するために成長機構のモデルを提案した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 非晶質 ,  *ゲルマニウム ,  クラスタ ,  対称性 ,  アスペクト比 ,  形態 ,  *透過型電子顕微鏡 ,  LPCVD ,  双晶 ,  核形成 ,  非対称性 ,  界面
準シソーラス用語： 塑性緩和 ,  歪緩和 ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： ゲルマニウムに及ぼすけい素(Ge/Si) ,  単独運転 ,  透過型電子顕微鏡観察

分類 (2件)： 変態組織,加工組織  (WB01030N) ,  顕微鏡法  (BK01040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 方位 ,  シリコンウエハ ,  成長 ,  ゲルマニウム ,  エピ層 ,  断面透過型電子顕微鏡 ,  研究