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J-GLOBAL ID:201702224317394227   整理番号:17A1801632

ゾル-ゲル法を用いて作製したFe2O3/p-Siヘテロ接合ダイオードの電気的検討

Electrical Investigation of Nanostructured Fe2O3/p-Si Heterojunction Diode Fabricated Using the Sol-Gel Technique
著者 (2件):
資料名:
巻: 46  号: 11  ページ: 6502-6507  発行年: 2017年11月 
JST資料番号: D0277B  ISSN: 0361-5235  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ナノ結晶相の半導体は,ナノメートルサイズのため,調整可能な電子および光学特性を示すことができる。本研究では,単純なゾル-ゲル法を用いて,Ag/Fe2O3/p-Si/Al構造のダイオードを作製した。合成されたFe2O3ナノクリスタルのコロイド溶液を用いて,Fe2O3の堆積膜を成功裏に達成した。Ag/Fe2O3/p-Si/Alダイオードの電気的特性を電流-電圧特性によって解析した。調査したダイオードは,良好な整流動作およびターンオン電圧0.81Vを示した。異なる方法を用いて,n,φV,およびRsのようなダイオードパラメータを計算した。
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分類 (2件):
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ダイオード  ,  固体デバイス計測・試験・信頼性 

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