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J-GLOBAL ID：201702224602061742   整理番号：17A1482915

エキシマレーザアニーリングによるpolydihydrosilane結晶化の解析【Powered by NICT】

Analysis of polydihydrosilane crystallization by excimer laser annealing

著者 (4件)： Trifunovic Miki (Department of Electronic Components, Technology and Materials, Delft University of Technology, Feldmannweg 17, 2628CT Delft, The Netherlands) ,  Sberna Paolo Maria (Department of Electronic Components, Technology and Materials, Delft University of Technology, Feldmannweg 17, 2628CT Delft, The Netherlands) ,  Shimoda Tatsuya (School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology, 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, Japan) ,  Ishihara Ryoichi (Department of Electronic Components, Technology and Materials, Delft University of Technology, Feldmannweg 17, 2628CT Delft, The Netherlands)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 638  ページ： 73-80  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エレクトロニクスの印刷は従来の電子製造法に代わる低コスト材料として過去10年間多くの注目を集めている。この分野における重要な開発は,シリコン前駆体,ポリジヒドロシラン,直接エキシマレーザ処理による多結晶シリコンに変換できるを印刷することが可能であった。限られたレーザ熱拡散のために,プラスチックや紙など低コストフレキシブル基板は典型的には低熱収支を持つことを使用することができた。ケイ素前駆体は紫外光に敏感であり,光化学反応における変換可能性があるので,エキシマレーザ結晶化は主に光化学かむしろ熱反応の疑問が生じる。本研究では,開発した及び反射実験データに,プロセスの背後にある物理を理解することであるモデル。有限要素解析と実験的特性化により,プロセスの背後にある物理学は主に熱,a-Siに中間遷移の代わりに,多結晶Siへの直接変態が存在することが観察された。このプロセスにより,処理を最適化できる又はより効率的なツールは,高性能シリコンデバイスの低コスト生産を可能にするであろうことを使用することができる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光化学反応 ,  ポリシリコン ,  フレキシブル基板 ,  ケイ素 ,  光化学 ,  *レーザ ,  *結晶化 ,  最適化 ,  前駆体 ,  熱化学反応 ,  熱拡散 ,  電子技術 ,  紫外線 ,  *エキシマレーザ ,  プラスチック

著者キーワード (5件)： Polydihydrosilane ,  エキシマレーザ結晶化 ,  溶液処理 ,  紫外線硬化 ,  有限要素解析

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (2件)： 結晶化 ,  解析