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J-GLOBAL ID：201702224809177932   整理番号：17A0547880

ミストCVD法による酸化亜鉛薄膜の低温形成と評価

著者 (11件)： 御厨丈輝 (熊本大 大学院) ,  小川寛高 (熊本大 大学院) ,  城戸智孝 (熊本大 大学院) ,  谷田部然治 (熊大 院 先導機構) ,  西康孝 (ニコン) ,  中積誠 (ニコン) ,  岩堀恒一郎 (ニコン) ,  奈良圭 (ニコン) ,  浪平隆男 (熊大 パルスパワー研) ,  中村有水 (熊本大 大学院) ,  中村有水 (熊本有機薄膜)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.14p-502-15  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 化学蒸着 ,  *薄膜 ,  *酸化亜鉛 ,  *低温生成 ,  ガリウム ,  ドーピング ,  電気抵抗率 ,  透明導電膜
準シソーラス用語： ミストCVD法 ,  *酸化亜鉛薄膜 ,  *低温形成 ,  Ga ,  ドープ ,  抵抗率

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  酸化物の結晶成長  (BK13050I)

タイトルに関連する用語 (4件)： ミストCVD法 ,  酸化亜鉛薄膜 ,  低温形成 ,  評価