Lee Jae Ho について
Department of Materials Science and Engineering, Inter-University Semiconductor Research Center, Seoul National University, Gwanak-ro 1, Daehag-dong, Gwanak-gu, Seoul 151-744, Republic of Korea について
Kim Dong-Gun について
Department of Materials Science and Engineering, Inter-University Semiconductor Research Center, Seoul National University, Gwanak-ro 1, Daehag-dong, Gwanak-gu, Seoul 151-744, Republic of Korea について
Lee Hyun-Jae について
Department of Materials Science and Engineering, Inter-University Semiconductor Research Center, Seoul National University, Gwanak-ro 1, Daehag-dong, Gwanak-gu, Seoul 151-744, Republic of Korea について
Hwang Cheol Seong について
Department of Materials Science and Engineering, Inter-University Semiconductor Research Center, Seoul National University, Gwanak-ro 1, Daehag-dong, Gwanak-gu, Seoul 151-744, Republic of Korea について
Microelectronic Engineering について
チャネル について
パターン形成 について
ドーパント について
フィン について
FET【トランジスタ】 について
ケイ素 について
イオン注入 について
サブ閾値スイング について
シリコンウエハ について
メタルゲート について
窒化チタン について
ALCVD について
チャネル長 について
ハードマスク について
チャネル幅 について
トライゲートFET について
Gate-last について
TiN について
Al_2O_3 について
降圧パターン形成 について
ダミーゲート について
トランジスタ について
降圧 について
パターン形成 について
電界効果トランジスタ について
作製 について