文献

J-GLOBAL ID：201702225814178457   整理番号：17A1545015

ZTC状態下でのバルクとFDSOIデバイスにおける重粒子線の生物効果評価【Powered by NICT】

Evaluation of heavy-ion impact in bulk and FDSOI devices under ZTC condition

著者 (5件)： Calienes W.E. (Instituto de Informatica, PGMicro/PPGC, Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Porto Alegre, RS, Brazil) ,  de Aguiar Y.Q. (Instituto de Informatica, PGMicro/PPGC, Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Porto Alegre, RS, Brazil) ,  Meinhardt C. (Centro de Ciencias Computacionais, PPGComp, Universidade Federal do Rio Grande, Rio Grande, RS, Brazil) ,  Vladimirescu A. (Institut Superieur d’Electronique de Paris, Microelectronics Laboratory, Paris, France) ,  Reis R. (Instituto de Informatica, PGMicro/PPGC, Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Porto Alegre, RS, Brazil)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 76-77  ページ： 655-659  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,温度変化の下で重イオン衝撃の影響を調べた。32nmバルクと28nm FDSOIのNMOSデバイスはTCADシミュレーションにより分析した。温度効果を克服するために,2つのデバイスは零温度係数(ZTC)条件に行った。結果は,総収集電荷の5%から18%まで減少,デバイスはZTC条件で稼動しているとき,温度ゆらぎが原因となった低い変動を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： NMOS構造 ,  温度係数 ,  温度変動 ,  シミュレーション ,  電荷 ,  重イオン ,  *重イオンビーム ,  衝撃 ,  温度依存性
準シソーラス用語： TCAD ,  *FDSOI , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： バルク ,  FDSOI ,  重粒子線 ,  生物効果 ,  評価