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J-GLOBAL ID：201702226036257021   整理番号：17A1348128

Ge CVDエピタキシャル成長のための原子的に制御された処理【Powered by NICT】

Atomically controlled processing for Ge CVD epitaxial growth

著者 (7件)： Murota Junichi (Micro System Integration Center, Tohoku University, 519-1176 Aramaki aza Aoba, Aoba-ku, Sendai, 980-0845, Japan) ,  Yamamoto Yuji (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany) ,  Costina Ioan (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany) ,  Tillack Bernd (IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany) ,  Vinh Le Thanh (Aix-Marseille Universite, CNRS CINaM-UMR 7325, F-13288 Cedex 09, France) ,  Loo Roger (imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium) ,  Caymax Matty (imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ICSICT  ページ： 317-320  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： IV族半導体における原子的制御プロセスの概念を原子オーダ表面反応制御に基づいている。このアプローチは非常に薄い(nm)層のエピタキシャル成長にとって特に重要である。,ウエハ表面のGe蒸着と水素終端に起因するCVD反応器中のGe酸化物の存在は,エピタキシャル成長に影響を与える本質的である。Ge酸化物の蒸発はウエハ負荷後のGe成長および/または極低温SiH4処理後のウエハ負荷および/またはSiキャッピング前に反応器を被覆Siにより抑制された。Si0.5Ge0.5バッファ層を用いて,表面の水素終端は減少した。その結果,非常に短い潜伏期間とnm厚のGeエピタキシャル成長と表面粗さ生成の抑制を実現した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 反応制御 ,  反応器 ,  被覆 ,  *ゲルマニウム ,  酸化物 ,  *エピタクシー ,  バッファ層 ,  蒸着 ,  極低温 ,  半導体 ,  ケイ素
準シソーラス用語： 水素終端 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ge ,  CVD ,  エピタキシャル成長 ,  原子