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J-GLOBAL ID：201702226712616326   整理番号：17A1029170

2段階Bayes推定を用いた絶縁ゲートバイポーラトランジスタモジュールの寿命推定【Powered by NICT】

Lifetime Estimation of Insulated Gate Bipolar Transistor Modules Using Two-Step Bayesian Estimation

著者 (2件)： Lu Yizhou (Department of Mechanical Engineering, University of Maryland, College Park, MD, USA) ,  Christou Aris (Department of Material Science and Engineering and the Department of Mechanical Engineering, University of Maryland, College Park, MD, USA)
資料名： IEEE Transactions on Device and Materials Reliability  (IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻： 17  号： 2  ページ： 414-421  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1320A  ISSN： 1530-4388  CODEN： ITDMA2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュールのパッケージの信頼性は大きな関心事になってきた。パワーサイクル条件下で一般的に観察されるいくつかの疲労破壊機構。多段階ベイズ推定の手法は電力サイクル条件下におけるIGBTモジュールの寿命推定を行うことを提案した。特定パワーサイクリング条件の下での一般的なIGBTモジュールの寿命評価は,提案した方法を実証し,文献と同様に,有限要素解析結果から外挿した寿命データを統合することである。推定の結果は試験したIGBTモジュールの寿命は16126及び3.28の二パラメータWeibull分布で近似できることである。提案アプローチは実装するのが比較的簡単であり,広範囲の応用における予備的寿命推定を行うのに使える。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 信頼性 ,  寿命評価 ,  *Bayes推定 ,  *IGBT ,  疲れ破壊 ,  Weibull分布 ,  *寿命予測 ,  電力
準シソーラス用語： 有限要素解析 ,  パワーサイクル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 段階 ,  Bayes推定 ,  絶縁ゲートバイポーラトランジスタ ,  モジュール ,  寿命推定