種々のMg濃度での有機金属気相エピタキシーで成長させられたp-型ホモエピタキシャルGaN層のホール効果測定

HORITA Masahiro; TAKASHIMA Shinya; TANAKA Ryo; MATSUYAMA Hideaki; UENO Katsunori; EDO Masaharu; TAKAHASHI Tokio; SHIMIZU Mitsuaki; SUDA Jun

文献

J-GLOBAL ID：201702227173682392 整理番号：17A0953372

種々のMg濃度での有機金属気相エピタキシーで成長させられたp-型ホモエピタキシャルGaN層のホール効果測定

Hall-effect measurements of metalorganic vapor-phase epitaxy-grown p-type homoepitaxial GaN layers with various Mg concentrations

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資料名：
巻： 56 号： 3 ページ： 031001.1-031001.4 発行年： 2017年03月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

6.5×10¹⁶ cm^-3(軽くドープされた)から3.8×10¹⁹ cm^-3(たくさんドープされた)の範囲のドープ濃度を持つMgドープp-型窒化ガリウム(GaN)層を,ホール濃度と移動度の分析のためのホール効果測定により研究した。p-GaNは有機金属気相エピタキシーによりGaN自立基板上にホモエピタキシャル成長させた。p-GaNの貫通転位密度は陰極蛍光マッピングにより測定された4×10⁶ cm^-2であった。p-GaNのホール効果測定は130から450Kの範囲の温度で行った。軽くドープされたp-GaNに対して,7.0×10¹⁶ cm^-3のアクセプター濃度と3.2×10¹⁶ cm^-3のドナー濃度を得,ここで補償比は46%である。著者らはまたMgアクセプター準位の深さが220meVであることを得た。200,300,400Kでそれぞれ86,31,14 cm² V^-1 s^-1のホール移動度を軽くドープされたp-GaNで観測した。(翻訳著者抄録)

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半導体薄膜

引用文献 (23件)：

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