フラーレン分子の薄膜への超高密度データ記憶

NAKAYA Masato; AONO Masakazu; NAKAYAMA Tomonobu; NAKAYAMA Tomonobu

文献

J-GLOBAL ID：201702227561361735 整理番号：17A0685966

フラーレン分子の薄膜への超高密度データ記憶

Ultrahigh-density data storage into thin films of fullerene molecules

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著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 55 号： 11 ページ： 1102B4.1-1102B4.7 発行年： 2016年11月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

ハードディスクやデジタル多用途ディスクドライブの発明など,デジタルデータストレージの技術革新により,情報化社会の進展が著しく加速された。特に,デバイスの記憶容量の急速な増加は,大規模なデジタルデータが頻繁に転送される,最近の世界的なコンピュータネットワークの構築に寄与している。本稿では,記録媒体としてC₆₀薄膜を用いた超高密度データ記憶の最近の進展を報告する。本研究では,超薄C₆₀膜とSTMチップを用いた超高密度データ記憶の最近の進歩を提示し,STM誘導重合および解重合によるC₆₀分子の非結合および結合状態の制御は,不揮発性データをTbits/in.²を超える密度で記憶するのに役立つ。C₆₀ベースのストレージの動作速度は,STM誘発重合のC₆₀分子の解重合の量子効率の改善と共に,363ビット/sに達した。このような量子効率の調整は,導電性基板からC₆₀膜の表面層への静電電荷注入が,C₆₀膜の基板および厚さを変えることによって制御された。膨大な量のデータを効率的に処理するためには,将来的にはMbits/s以上,さらにはGbits/s以上の速度でデータ書き込みと消去を実現する”millipede”方式などの超並列演算方式を検討する必要がある。

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有機化合物の薄膜 , 電子・磁気・光学記録 , 重合反応一般

引用文献 (47件)：

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R. E. Fontana, Jr. and S. R. Hetzler, J. Appl. Phys. 99, 08N902 (2006).
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