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J-GLOBAL ID:201702227562079478   整理番号:17A1705423

ワイヤボンディングパッケージにおける理解腐食挙動のPdドープCuとPdをドープしたCu-Al金属間化合物の電気化学的研究【Powered by NICT】

Electrochemical studies of Pd-doped Cu and Pd-doped Cu-Al intermetallics for understanding corrosion behavior in wire-bonding packages
著者 (4件):
資料名:
巻: 78  ページ: 355-361  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0530A  ISSN: 0026-2714  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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ボールパッド界面の腐食に対する金属エンティティの感受性を低下させる方法を見つけるためにワイヤ冶金(Pd濃度)と成形化合物化学(塩化物濃度)の分野で電気化学的特性を調べた。Cu(Pd)-Al接合界面で見出された種々の金属のエンティティの開回路電位と動電位分極曲線は,高純度水中のNaClの100ppm,20ppm,および1ppmの中性に近い電解質で得られた。X線回折スペクトルから,PdはCu_9Al_4,Cuリッチ金属間化合物(IMC)γとしてではなくCuAl_2にも呼ばれる,Alに富むIMCアーク溶解した試験片のθとも呼ばれるに均一に取り込んだできることが分かった。Cu-Pd合金では,与えられた塩化物濃度で,Pd濃度を開回路電位(E_oc)の値の増加と腐食電流密度(i_corr)に減少させた。同様に,Cu-Pd合金中のPdの与えられた量に対して,NaCl濃度の減少はE_ocの値を増加させるとi_corr減少する。興味深いことに,Cu9Pdの場合のように高濃度Pd,E_ocとi_corrを調べNaCl濃度に敏感でなくなった。これはCuのアノード溶解速度を低下させることを腐食表面上のPd富化に起因すると考えられる。Pdをドープしたγ金属間化合物に対して,Pd濃度はE_ocの値における全身性増加を引き起こすが,低濃度Pdで,i_corrの値は増加した。Pdγへの添加はPdの高いカソード活性に起因したカソード電流密度の増加を引き起こすが,γ中のAlの不動態化は,Pdの添加,低Pd濃度でi_corrのより高い値をもたらすによる陽極電流密度低減の程度を減少させた。NaCl濃度が1ppm程度と低いときにもこれは真実である。一方,γIMCのE_ocとi_corrに及ぼすNaCl濃度の影響は常に観察され,Pd添加してもした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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固体デバイス計測・試験・信頼性  ,  固体デバイス材料 

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