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J-GLOBAL ID：201702227725425954   整理番号：17A0557622

弾性歪み下でのSi₂N-h2D結晶ナノリボンとナノチューブのバンドギャップ調整の密度汎関数理論研究

Density Functional Theory Study of Bandgap Modulation of Si₂N-h2D Crystal Nanoribbons and Nanotubes Under Elastic Strain

著者 (3件)： MA Shengqian (Taishan Univ., Shandong, CHN) ,  LI Feng (Taishan Univ., Shandong, CHN) ,  GENG Jiguo (Taishan Univ., Shandong, CHN)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 46  号： 4  ページ： 2241-2247  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論計算に基づいて弾性歪み下でのSi₂N-多孔性2次元(h2D)ナノリボンおよびナノチューブのバンドギャップ調整について議論した。結果は,歪みを-10%から10%に変化させた時に,ジグザグおよびアームチェア構造のバンドギャップが両方向(すなわち,伸張または圧縮)に沿って調整され得ることを示した。Si₂N-h2Dナノリボンのバンドギャップは,リボンの幅によって変化した。Si₂N-h2Dナノリボンおよびナノチューブは,狭バンドギャップの非磁性半導体であることを確認し,ナノスケールの歪みセンサおよびオプトエレクトロニクスへの適用可能性がある。

シソーラス用語： *ナノ構造 ,  *リボン結晶 ,  *ナノチューブ ,  *歪 ,  *バンドギャップ ,  *調整 ,  密度汎関数法
準シソーラス用語： *ナノリボン ,  *弾性歪 ,  密度汎関数理論

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  計算機シミュレーション  (JE11000H)

タイトルに関連する用語 (8件)： 弾性歪み ,  結晶 ,  ナノリボン ,  ナノチューブ ,  バンド ,  ギャップ調整 ,  密度汎関数理論 ,  研究