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J-GLOBAL ID：201702228230613169   整理番号：17A0644073

多結晶ZnO薄膜における深準位の欠陥についての研究

Investigation on deep level defects in polycrystalline ZnO thin films

著者 (4件)： Tsiarapas Christos (Department of Electrical and Computer Engineering, Democritus University of Thrace, Building A’ E&CE, University Campus Xanthi-Kimmeria, 67100 Xanthi, Greece) ,  Girginoudi Dimitra (Department of Electrical and Computer Engineering, Democritus University of Thrace, Building A’ E&CE, University Campus Xanthi-Kimmeria, 67100 Xanthi, Greece) ,  Dimitriadis Evangelos Ioannou (Informatics Engineering Department, Technological Educational Institution of Central Macedonia, Terma Magnisias, 62124 Serres, Greece) ,  Georgoulas Nikolaos (Department of Electrical and Computer Engineering, Democritus University of Thrace, Building A’ E&CE, University Campus Xanthi-Kimmeria, 67100 Xanthi, Greece)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 35  号： 3  ページ： 031203-031203-6  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多結晶ZnO薄膜における深準位のトラップの検知と評価を,Pd/ZnOショットキー接合に関する深準位過渡分光法(DLTS)によって行った。ZnO層内に取込まれた水素量の相違の,これらのトラップの生成と成長への影響を検討した。薄膜はn-Si基板上に直流スパッタ法で,単位体積当たりのH濃度〔H₂〕が0%,20%,33.3%,50%,66.6%になるようにスパッタガス(Ar/H)の水素(H)流量を変えて成膜した。Pd/ZnO接合はDLTS評価にとって,Au/ZnO接合より安定で信頼性がある。活性エネルギー0.30,0.21,0.47,0.54eVをもつ4つの深い電子トラップ(A,B,C,Dと記す)がすべての試料で検知された。もうひとつのトラップE(0.61eV)が,50%と66.6%のH₂の試料で見出された。トラップAとBとは,ZnOにおいて一般に観測され,内在欠陥に関連する。トラップCは表面欠陥に起因し,トラップDは酸素欠陥を含む拡張欠陥と考えられる。広いトラップEは拡張欠陥と結びついている。DLTS空間電荷領域が表面近くに拡がるにつれ,欠陥密度は高くなる。取込まれた水素はH₂流量に依存した振舞いをするのみでなく,トラップと相互作用するように思われる。なぜなら,〔H₂〕<=33.3%では,AおよびBトラップの密度が顕著に減少(おそらくH-V_O複合体の形成のため)し,〔H₂〕>=33.3%では,他のトラップ(形成にHが関与するか,少なくとも有利に働く)の密度が上昇する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *多結晶 ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  *酸化亜鉛 ,  *深い準位 ,  キャリア捕獲 ,  *深準位過渡分光法 ,  *パラジウム ,  *欠陥準位 ,  スパッタ蒸着 ,  水素化 ,  *半導体金属接合 ,  電子 ,  表面欠陥 ,  格子欠陥
準シソーラス用語： *Schottky接合 ,  内在欠陥 ,  拡張欠陥

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 多結晶 ,  ZnO薄膜 ,  深準位 ,  欠陥 ,  研究