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J-GLOBAL ID：201702229102000188   整理番号：17A1810935

CVD成長Mo_1-xW_xS₂合金中に形成したMoS₂埋め込みナノワイヤに対する走査型トンネル顕微鏡/分光法

Scanning tunneling microscopy/spectroscopy on MoS₂ embedded nanowire formed in CVD-grown Mo_1-xW_xS₂ alloy

著者 (9件)： MOGI Hiroyuki (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  KOBAYASHI Yu (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN) ,  TANINAKA Atsushi (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  SAKURADA Ryuji (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  TAKEUCHI Takahiro (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  YOSHIDA Shoji (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  TAKEUCHI Osamu (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  MIYATA Yasumitsu (Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN) ,  SHIGEKAWA Hidemi (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 8S1  ページ： 08LB06.1-08LB06.4  発行年： 2017年08月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  *化学蒸着 ,  トンネル分光法 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  層状化合物 ,  バンドギャップ ,  結晶構造 ,  Ramanスペクトル ,  硫化モリブデン ,  タングステン ,  ドーピング ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： 遷移金属二カルコゲン化物 ,  二硫化モリブデン

分類 (3件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (8件)： CVD ,  成長 ,  合金 ,  MoS2 ,  埋め込み ,  ナノワイヤ ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  分光法