文献

J-GLOBAL ID：201702229934830298   整理番号：17A1917203

後処理ASMC0.35μm CMOSチップによるマイクロミラーアレイのCMOS-MEMS【Powered by NICT】

CMOS-MEMS Micro-Mirror Arrays by Post-Processing ASMC 0.35- $¥mu ¥text{m}$ CMOS Chips

著者 (2件)： Cheng Zhengxi (Research Center for Advanced Science and Technology, University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Toshiyoshi Hiroshi (Research Center for Advanced Science and Technology, Institute of Industrial Science, University of Tokyo, Tokyo, Japan)
資料名： Journal of Microelectromechanical Systems  (Journal of Microelectromechanical Systems)
巻： 26  号： 6  ページ： 1435-1441  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0357A  ISSN： 1057-7157  CODEN： JMIYET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 静電双安定4×4マイクロミラーアレイは標準的な先進的半導体製造社-0.35-2μmポリ3金属ファブレス相補型金属酸化膜半導体マイクロ電気機械システム(CMOS MEMS)プロセスを用いて実現した。鏡(各地域における18 ×18 μm),静電駆動機構,および懸濁液を含む機械的構造は,上位三金属層で行った。典型的な静的プルイン電圧は49Vであることを試験し,最大傾斜角は14.6°であると推定された。マイクロミラーは,少なくとも11kHzの周波数上昇で動作させることができる。4.8×10~9サイクル,全寿命134.5時間以上のを試験した。プロセス中のスティクションを避けるために,マイクロミラーアレイを,反応性イオンエッチング(RIE)とフォトレジスト支援湿式エッチングを用いたCMOSプロセス後基板から犠牲放出される。放出後99.3%のマイクロミラー賢明な処理収率は開発したCMOS-MEMSプロセスのロバスト性を意味する。[2017 0180]Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： フォトレジスト ,  RIE【エッチング】 ,  傾斜角 ,  ウェットエッチング ,  *CMOS ,  周波数 ,  電気機械 ,  ロバスト性 ,  *後処理 ,  *MEMS
準シソーラス用語： CMOSプロセス ,  スティクション ,  プルイン電圧 ,  静電駆動 ,  *マイクロミラー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 後処理 ,  CMOSチップ ,  マイクロミラーアレイ ,  CMOS ,  MEMS