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J-GLOBAL ID：201702230471590832   整理番号：17A1169724

SEMにおける二次電子の分光法のための噴水検出器の開発【Powered by NICT】

Development of fountain detectors for spectroscopy of secondary electron in SEM

著者 (4件)： Agemura Toshihide (University of Tsukuba, 1-1 Namiki, 305-0044 Tsukuba, Japan) ,  Iwai Hideo (National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, 305-0044 Tsukuba, Japan) ,  Sekiguchi Takashi (University of Tsukuba, 1-1 Namiki, 305-0044 Tsukuba, Japan) ,  Sekiguchi Takashi (National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, 305-0044 Tsukuba, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. C. Current Topics in Solid State Physics  (Physica Status Solidi. C. Current Topics in Solid State Physics)
巻： 14  号： 7  ページ： ROMBUNNO.201700057  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1400A  ISSN： 1862-6351  CODEN： PSSCGL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体の表面電位の変化を画像化するために,噴水検出器(FD)と名付けた,エネルギー選択二次電子検出器を開発した。二種類の格子の,平面と球面を設計し,後者の優位性を実証した。4H-SiCのp-n接合は,球状FDを用いて観察し,画像は,従来の検出器を使用したものより遥かに明確になった。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 画像 ,  半導体 ,  球面 ,  表面電位 ,  画像処理 ,  PN接合 ,  *検出器
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  電子検出器 ,  画像化 ,  *二次電子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 噴水検出器 ,  低エネルギーSE ,  南東分光法 ,  二次電子

分類 (2件)： 電子顕微鏡,イオン顕微鏡  (BD02050B) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (6件)： SEM ,  二次電子 ,  分光法 ,  噴水 ,  検出器 ,  開発