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J-GLOBAL ID：201702230612482851   整理番号：17A1457626

リモートプラズマ反応性スパッタリングにより堆積した種々のSn組成を有するZnO:Sn薄膜の分光偏光解析法による評価【Powered by NICT】

Spectroscopic ellipsometry characterization of ZnO:Sn thin films with various Sn composition deposited by remote-plasma reactive sputtering

著者 (8件)： Janicek Petr (Faculty of Chemical Technology, Institute of Applied Physics and Mathematics, University of Pardubice, Studentska 95, 53210 Pardubice, Czechia) ,  Janicek Petr (Faculty of Chemical Technology, Center of Materials and Nanotechnologies, University of Pardubice, nam. Cs. legii 565, 530 02 Pardubice, Czechia) ,  Niang Kham M. (Electrical Engineering Division, Cambridge University, 9 J J Thomson Avenue, Cambridge CB3 0FA, UK) ,  Mistrik Jan (Faculty of Chemical Technology, Institute of Applied Physics and Mathematics, University of Pardubice, Studentska 95, 53210 Pardubice, Czechia) ,  Mistrik Jan (Faculty of Chemical Technology, Center of Materials and Nanotechnologies, University of Pardubice, nam. Cs. legii 565, 530 02 Pardubice, Czechia) ,  Palka Karel (Faculty of Chemical Technology, Department of General and Inorganic Chemistry, University of Pardubice, Studentska 95, 53210 Pardubice, Czechia) ,  Palka Karel (Faculty of Chemical Technology, Center of Materials and Nanotechnologies, University of Pardubice, nam. Cs. legii 565, 530 02 Pardubice, Czechia) ,  Flewitt Andrew J. (Electrical Engineering Division, Cambridge University, 9 J J Thomson Avenue, Cambridge CB3 0FA, UK)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 421  号： PB  ページ： 557-564  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnO:Sn薄膜を遠隔プラズマ反応性スパッタリングを用いて熱的に酸化したシリコン基板上に堆積した。それらの光学定数(屈折率nと消衰係数k)は,広いスペクトル範囲(0.05 6eV)で記録した偏光解析データから決定した。ZnOのパラメータ化:Sn複素誘電率は,短波長吸収端を記述するパラメータ化半導体振動子関数で構成し,スペクトルの近赤外部分における自由キャリア吸収とスペクトルの紫外部分における長波長吸収端とバンド内吸収を記述するLorentz振動子を記述するDrude振動子。Mott-Davisモデルを用いて,Snドーピングによる局所不規則性の増加は,短波長吸収端開始から定量化した。光学定数スペクトルの透明部分のためのWemple-DiDomenico単一振動子モデルを用いて,Snをドープした価電子帯と伝導帯の重心距離の増加を示し,Snドーピングによるバンド間光学遷移の強度の僅かな増加が起こる。スペクトルの近赤外部分に適用したDrudeモデルをZnO:Snの自由キャリア濃度と移動度を明らかにした。結果は,作製したZnO:Sn層の透明度の範囲は,Snドーピングによって劇的に影響されていない電気伝導度は,Snドーピングによって制御できることが分かった。透明部における屈折率は非晶質インジウムガリウム亜鉛オキシドインジウムを含まない代替として作製したZnO:Sn層の利用を可能にすると同等であった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  複素誘電率 ,  ドーピング ,  振動子 ,  *薄膜 ,  吸収端 ,  光学定数 ,  *反応性スパッタリング ,  電気伝導率 ,  近赤外線 ,  *偏光解析法 ,  屈折率 ,  *スズ ,  パラメタリゼーション ,  *プラズマ

著者キーワード (4件)： 分光偏光解析法 ,  リモートプラズマ反応性スパッタリング ,  ZnO:Sn ,  光学的性質

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (9件)： リモートプラズマ ,  反応性スパッタリング ,  堆積 ,  Sn ,  組成 ,  ZnO ,  薄膜 ,  分光偏光解析法 ,  評価