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J-GLOBAL ID：201702231104517480   整理番号：17A1125336

電子スピン共鳴により明らかにされた(100)Si上の機能的HfO_2層における正電荷捕獲と相関した欠陥:酸素空格子点の証拠【Powered by NICT】

Defect correlated with positive charge trapping in functional HfO₂ layers on (100)Si revealed by electron spin resonance: Evidence for oxygen vacancy?

著者 (2件)： Stesmans A. (Department of Physics, University of Leuven, Celestijnenlaan 200D, 3001 Leuven, Belgium) ,  Afanas’ev V.V. (Department of Physics, University of Leuven, Celestijnenlaan 200D, 3001 Leuven, Belgium)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 178  ページ： 112-115  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なる前駆体を用いた化学蒸着(CVD)により三種類のp-(100)Si上に堆積したデバイス品質HfO_2膜の低温K-帯とQバンド電子スピン共鳴(ESR)測定の結果を報告した。研究は起こる電荷捕獲中心の存在と原子的性質を評価する目的でex situ非接触電荷注入,様々な成長後照射処理で補完し,組み合わせて行なわれてきた。原子層(AL)と有機金属(MO)CVDにより成長させたHfO_2層では,これは交互に正/負電荷注入との相関関係では,H5と命名された常磁性中心の再現性のある出現を明らかにし,すなわち,異なるシグナル強度は増加/減少であった。両K-帯とQバンドで観測された粉末パターンのシミュレーションは一貫してg_1=1.880±0.006,g_2=1.900±0.006,g_3=1.981±0.0015によって特性化斜方晶対称性の欠陥を指摘した。以前の理論的研究と比較して推定した分光学的ESR特性に基づく解析は,観察された中心はO空格子点欠陥に関係する,多分4倍1+荷電O空格子点(V_O4~+)に最も近い可能性があることを示唆した。明らかにされた欠陥は,少なくとも部分的に,ALCVDとMOCVDにより成長させたSi/hafnia構造中の正電荷捕獲の以前に報告された異なる傾向を説明するかもしれない。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 常磁性中心 ,  MOCVD ,  キャラクタリゼーション ,  再現性 ,  低温 ,  *ESR【磁気共鳴】 ,  斜方晶系 ,  前駆体 ,  *電荷 ,  対称性 ,  キャリア注入
準シソーラス用語： Qバンド ,  *酸素空格子点 ,  *電荷捕獲 ,  *二層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 高k誘電体 ,  Si/hafnia構造 ,  電荷捕獲 ,  酸素空格子点 ,  ESR

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 電子スピン共鳴 ,  Si ,  正電荷 ,  捕獲 ,  相関 ,  欠陥 ,  酸素空格子点 ,  証拠