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J-GLOBAL ID：201702231482320272   整理番号：17A0527125

ウエハレベル共晶接合の質検出のための電気的試験方法

An electrical test method for quality detecting of wafer level eutectic bonding

著者 (8件)： ZHANG Lemin (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  JIAO Binbin (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  KU Will (Co. of Miradia Inc. & MiraMEMS, Taipei, TWN) ,  TSENG Li-Tien (Co. of Miradia Inc. & MiraMEMS, Taipei, TWN) ,  KONG Yanmei (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  CHIEN Yu-Hao (Co. of Miradia Inc. & MiraMEMS, Taipei, TWN) ,  YUN Shichang (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  CHEN Dapeng (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
資料名： Journal of Micromechanics and Microengineering  (Journal of Micromechanics and Microengineering)
巻： 27  号： 1  ページ： 015028,1-8  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： W1424A  ISSN： 0960-1317  CODEN： JMMIEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ウエハレベル接合のMEMSデバイスの接合の質を評価する方法について検討した。AuSn合金共晶接合の接合質を特性化するために使用される電気的試験法について調べた。ケルビン構造を使用した,4プローブ電流-電圧試験キーを設計した。この試験キーで,配線と接触の抵抗を測定した。従来の方法と電気的試験を使用してサンプルの接合質を特性化した。合金の抵抗は,合金の状態に依存する。ボイド,欠陥が存在する場合は,合金の抵抗が変化する。長さ265,幅40,厚さ7μmの合金で試験した。接合層にボイドがあるサンプルの抵抗は,ボイドがない,抵抗1×10^-7Ωmの数倍の抵抗を示した。

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  *接合 ,  *共晶 ,  MEMS ,  金合金 ,  電気試験 ,  *電気抵抗 ,  付着強さ
準シソーラス用語： *ウエハボンディング ,  MEMSデバイス ,  接合強さ

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  R,L,C,Q,インピーダンス,誘電率の計測法・機器  (AD07030N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ウエハレベル ,  共晶 ,  質 ,  電気的試験