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J-GLOBAL ID：201702231488026268   整理番号：17A0551298

Naフラックスサファイア溶解法において種結晶厚がGaN結晶反りに与える影響

著者 (12件)： 山田拓海 (大阪大 大学院) ,  村上航介 (大阪大 大学院) ,  中村幸介 (大阪大 大学院) ,  今林弘毅 (大阪大 大学院) ,  本城正智 (大阪大 大学院) ,  垣之内啓介 (大阪大 大学院) ,  針宮健太 (大阪大 大学院) ,  北村智子 (大阪大 大学院) ,  今西正幸 (大阪大 大学院) ,  今出完 (大阪大 大学院) ,  吉村政志 (大阪大 大学院) ,  森勇介 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.17p-P3-15  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 基板 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *単結晶 ,  ナトリウム ,  *膜厚 ,  サファイア ,  *反り ,  鋳型効果 ,  *種結晶 ,  LPE成長 ,  *添加物効果 ,  リチウム ,  溶解 ,  液体 ,  *フラックス法
準シソーラス用語： 半導体膜 ,  融液

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (9件)： Na ,  フラックス ,  サファイア ,  溶解 ,  種結晶 ,  厚 ,  GaN ,  結晶 ,  反り