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J-GLOBAL ID：201702231654114464   整理番号：17A1125381

電気ストレスによるAl_2O_3/InGaAs MOS構造の界面状態の生成【Powered by NICT】

Interface state generation of Al₂O₃/InGaAs MOS structures by electrical stress

著者 (5件)： Yoon S.-H. (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Chang C.-Y. (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Ahn D.-H. (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Takenaka M. (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan) ,  Takagi S. (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 178  ページ： 313-317  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子層蒸着(A LD)Al_2O_3/InGaAs MOS界面特性に及ぼす電気的ストレスの影響は極性依存性の観点から実験的に調べた。Al_2O_3/InGaAs MOS構造に見られる負バイアス応力は一定の電流または一定の酸化物電圧条件のもとで正バイアス応力より大きいD_itを生成することである。,負バイアス応力を印加すると,正孔捕獲を引き起こすが,正バイアス応力は電子捕獲をもたらした。これらの現象の原因となる物理的機構を考察した。いくつかの正孔駆動界面状態発生モデルは,ゲート負の応力下で高い正孔捕獲とD_it発生の相関の実験的観測下で検討した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 酸化物 ,  正孔 ,  極性 ,  電圧 ,  *表面準位 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  バイアス ,  電流 ,  電子捕獲
準シソーラス用語： 正孔捕獲 ,  界面特性 ,  ALCVD , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 電気応力 ,  界面状態 ,  Al_2O_3/InGaAs ,  正孔捕獲 ,  定電流ストレス ,  負バイアス応力

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ストレス ,  InGaAs ,  MOS構造 ,  界面状態