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J-GLOBAL ID：201702231907456197   整理番号：17A0637799

自立SiGeナノコラムに埋込んだSiナノクラスタのスピン緩和

Spin relaxation in Si nanoclusters embedded in free-standing SiGe nanocolumns

著者 (6件)： Stepina N. P. (Institute of Semiconductor Physics, 630090 Novosibirsk, Russia) ,  Zinovieva A. F. (Institute of Semiconductor Physics, 630090 Novosibirsk, Russia) ,  Dvurechenskii A. V. (Institute of Semiconductor Physics, 630090 Novosibirsk, Russia) ,  Noda Shuichi (Institute of Fluid Science, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Molla Md. Zaman (Institute of Fluid Science, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan) ,  Samukawa Seiji (Institute of Fluid Science, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 110  号： 20  ページ： 203103-203103-4  発行年： 2017年05月15日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *半導体材料 ,  ナノ構造 ,  柱状晶 ,  *ナノクラスタ ,  *磁気緩和 ,  ケイ素 ,  スペクトル
準シソーラス用語： ESRスペクトル ,  *シリコンゲルマニウム ,  *スピン緩和 ,  ナノコラム

分類 (1件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 自立 ,  SiGe ,  ナノコラム ,  埋込 ,  Si ,  ナノクラスタ ,  スピン緩和