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J-GLOBAL ID：201702233394317030   整理番号：17A1544990

極端な短絡手術における平面およびトレンチ電力SiC MOSFETデバイスのゲート漏れ電流解析とモデル化【Powered by NICT】

Gate leakage-current analysis and modelling of planar and trench power SiC MOSFET devices in extreme short-circuit operation

著者 (2件)： Boige F. (LAPLACE, University of Toulouse, CNRS, INPT, UPS, France) ,  Richardeau F. (LAPLACE, University of Toulouse, CNRS, INPT, UPS, France)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 76-77  ページ： 532-538  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文の目的は,平面およびトレンチゲート構造を含む五つの異なる製造業者からの1200V SiC MOSFETの短絡(SC)故障操作中のゲート漏れ電流挙動の完全な解析を提示することである。耐久性とゲート漏れレベルはチップサイズの関数として評価した。最後に,ゲート漏れ電流はモデル化とロバスト性を試験した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *MOSFET ,  生産者 ,  *電力 ,  ロバスト性 ,  故障 ,  *炭化ケイ素 ,  *モデリング ,  耐久性
準シソーラス用語： チップサイズ ,  トレンチゲート構造 ,  *ゲート漏れ電流 ,  *トレンチ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 炭化けい素(SiC) ,  パワーMOSFET ,  短絡 ,  ゲート漏れ電流 ,  ゲート酸化物の信頼性

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (8件)： 短絡 ,  手術 ,  トレンチ ,  SiC ,  MOSFET ,  ゲート漏れ電流 ,  解析 ,  モデル化