B添加Si<sub>0.70</sub>Ge<sub>0.30</sub>における,低フルエンス水素注入で導入される亀裂の研究

Chen Da; Guo Qinglei; Zhang Nan; Wang Bei; Xu Anli; Li Ya; Yang Siwei; Wang Gang

文献

J-GLOBAL ID：201702233947983497 整理番号：17A1013092

B添加Si_0.70Ge_0.30における,低フルエンス水素注入で導入される亀裂の研究

Investigation of low-fluence hydrogen implantation-induced cracking in B doped Si_0.70Ge_0.30

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著者 (8件)：

Chen Da

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資料名：

Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)

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巻： 35 号： 4 ページ： 041203-041203-5 発行年： 2017年07月
JST資料番号： E0974A ISSN： 2166-2746 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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水素の低フルエンス注入(3×10¹⁶/cm²)による,B添加Si_0.70Ge_0.30層の亀裂の動特性を研究した。H注入したB添加のないSi/Si_0.70Ge_0.30/Si構造では,Si_0.70Ge_0.30層に亀裂は見られなかった。埋め込まれたSi_0.70Ge_0.30層のB濃度を3×10¹⁹/cm³まで高めると,連続的な亀裂が表面に平行に観測された。一連の分析により,B添加が水素に関係する欠陥の進展を大幅に促進させ,それによりHの拡散を促進して亀裂を形成することが示される。水素フルエンス(3×10¹⁶/cm²)は,通常のイオンカットプロセスで必要とされる典型的なフルエンスの半分に過ぎず,今回の研究は,SiGeオンインシュレータ(SGOI)製造技術において新しい方法を提供し,ポストシリコン時代において引き続く応用を可能にする。(翻訳著者抄録)

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