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J-GLOBAL ID：201702234486896963   整理番号：17A1238009

GaCl_3を用いた三ハロゲン化物気相エピタクシーによって成長させたGaNのための準平衡結晶形状と運動学的Wulffプロット【Powered by NICT】

Quasiequilibrium crystal shape and kinetic Wulff plot for GaN grown by trihalide vapor phase epitaxy using GaCl₃

著者 (5件)： Iso Kenji (Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16, Nakamachi, Koganei, Tokyo 184-8588,, Japan) ,  Matsuda Karen (Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16, Nakamachi, Koganei, Tokyo 184-8588,, Japan) ,  Takekawa Nao (Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16, Nakamachi, Koganei, Tokyo 184-8588,, Japan) ,  Murakami Hisashi (Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16, Nakamachi, Koganei, Tokyo 184-8588,, Japan) ,  Koukitu Akinori (Department of Applied Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16, Nakamachi, Koganei, Tokyo 184-8588,, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics  (Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics)
巻： 254  号： 8  ページ： null  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  CODEN： PSSBBD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三ハロゲン化物気相エピタクシー(THVPE)による準平衡結晶形状(準ECS)を決定するための非極性m面(1010)と極性c面(0001)基板の選択領域成長(SAG)を示した。結果は,水素化物気相エピタクシー(HVPE)によるものと比較した。極性N面(0001)及び非極性m面{101 0}であったTHVPEにより成長させた準ECSの高温でのみ新たな半極性面{101 1}と一致して安定であった。{101 1}のような極性Ga面(0001)およびGa面感覚半極性面の明瞭なファセットは見られなかった。THVPEの速度論的WulffプロットはSAGの各新たなファセットの成長速度を用いて構築した。鳥のm面とc面上に成長させた選択領域GaN結晶の視点SEM画像THVPE。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ファセット ,  *結晶 ,  高温 ,  速度論 ,  非極性 ,  *気相成長 ,  成長速度 ,  極性 ,  *ガリウム ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： SEM画像 ,  半極性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： GaN ,  選択領域成長 ,  気相エピタクシー

分類 (4件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  励起子  (BM02120E) ,  固相転移  (BL04020G) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 三ハロゲン化物 ,  気相エピタクシー ,  成長 ,  GaN ,  準平衡 ,  結晶形 ,  運動学 ,  プロット