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J-GLOBAL ID：201702235681972705   整理番号：17A1138712

2温度成長法で作製したGaAsBi/GaAs多重量子井戸LEDの温度特性

著者 (8件)： 樋口憧生 (愛媛大) ,  佐々木大志 (愛媛大) ,  塚本晟 (愛媛大) ,  伊藤瑛悟 (愛媛大) ,  山田光起 (愛媛大) ,  PATIL Pallavi (愛媛大) ,  石川史太郎 (愛媛大) ,  下村哲 (愛媛大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.5p-C21-3  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *多重量子井戸 ,  *ヒ化ガリウム ,  *ビスマス化合物 ,  *発光ダイオード ,  温度依存性 ,  *MBE成長 ,  基板温度

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 成長 ,  作製 ,  GaAsBi ,  GaAs ,  多重量子井戸 ,  LED ,  温度特性