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J-GLOBAL ID：201702237309939471   整理番号：17A0644093

ゾル-ゲル法によるチャネル層を有するボトムゲートZnOトランジスタの素子不安定性の研究

Study of device instability of bottom-gate ZnO transistors with sol-gel derived channel layers

著者 (11件)： Yapabandara Kosala (Department of Physics, Auburn University, Auburn, Alabama 36849) ,  Mirkhani Vahid (Department of Physics, Auburn University, Auburn, Alabama 36849) ,  Sultan Muhammad Shehzad (Department of Physics, Auburn University, Auburn, Alabama 36849) ,  Ozden Burcu (Department of Physics, Auburn University, Auburn, Alabama 36849) ,  Khanal Min P. (Department of Physics, Auburn University, Auburn, Alabama 36849) ,  Park Minseo (Department of Physics, Auburn University, Auburn, Alabama 36849) ,  Wang Shiqiang (Department of Electrical and Computer Engineering, Auburn University, Auburn, Alabama 36849) ,  Hamilton Michael C. (Department of Electrical and Computer Engineering, Auburn University, Auburn, Alabama 36849) ,  Chung Yoonsung (Materials Research and Education Center, Department of Mechanical Engineering, Auburn University, Auburn, Alabama 36849) ,  Kim Dong-Joo (Materials Research and Education Center, Department of Mechanical Engineering, Auburn University, Auburn, Alabama 36849) ,  Sk Mobbassar Hassan (Center for Advanced Materials, CAM, Qatar University, Doha 2713, Qatar)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 35  号： 3  ページ： 03D104-03D104-9  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,電気的ストレスと引き続く緩和による電気特性の時間変化を調べることで,溶液系ZnO薄膜トランジスタの素子不安定性について報告する。大気と真空との条件の系統的比較を行い,酸素や水分子の吸着(チャンネル層に欠陥を生成する)の効果を調べた。ゲートバイアスストレス下の電界効果移動度における,観測された閾値下の振動と変化は,酸素と水分とが直接に閾値電圧のシフトに影響するという事実を支持している。大気環境と真空環境での素子緩和の包括的分析を報告し,欠陥の生成と電荷トラップ/デトラップ過程とをさらに確認する。これは以前報告されていない。化学吸着した分子はアクセプタのようなトラップを形成し,結晶粒界上の空隙を介してZnO薄膜内に拡散し,半導体/誘電体界面近くにも存在する。拡張指数関数とべき乗則モデルのフィッティングにより,活性層上の酸素と水分の吸着により欠陥が生成するという結論を補強する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ゾル-ゲル法 ,  *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *ゲート【半導体】 ,  *不安定性 ,  半導体素子 ,  *薄膜トランジスタ ,  吸着 ,  酸素 ,  水 ,  *キャリア移動度 ,  閾値 ,  バイアス ,  キャリア捕獲 ,  格子欠陥
準シソーラス用語： *ボトムゲート ,  ゲートバイアス ,  電荷トラップ ,  *欠陥形成

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： ゾル-ゲル法 ,  チャネル層 ,  ボトムゲート ,  ZnO ,  トランジスタ ,  不安定性 ,  研究