Ge<sub>1-x</sub>Sn<sub>x</sub>層の水素界面活性剤媒介エピタキシーおよび結晶品質とフォトルミネセンス特性に対するその影響

NAKATSUKA Osamu; FUJINAMI Shunsuke; ASANO Takanori; ASANO Takanori; KOYAMA Takeshi; KUROSAWA Masashi; SAKASHITA Mitsuo; KISHIDA Hideo; ZAIMA Shigeaki

文献

J-GLOBAL ID：201702237347695976 整理番号：17A0953281

Ge_1-xSn_x層の水素界面活性剤媒介エピタキシーおよび結晶品質とフォトルミネセンス特性に対するその影響

Hydrogen-surfactant-mediated epitaxy of Ge_1-xSn_x layer and its effects on crystalline quality and photoluminescence property

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資料名：
巻： 56 号： 1S ページ： 01AB05.1-01AB05.6 発行年： 2017年01月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

水素界面活性媒介分子線エピタキシー(MBE)を用いてGe(001)基板上にGe_1-xSn_x層を成長し,結晶品質とフォトルミネセンス(PL)特性を調べた。分子水素の解離によって発生した原子水素(H)をMBE成長中に照射し,その影響を調べた。H照射によって,Ge_1-xSn_xエピタキシャル層の二次元的成長が促進され,表面形態が改善した。X線回折プロファイルにおいて,拡散散乱の増加を観測した。これは,点欠陥密度が高いことを示している。H₂照射Ge_1-xSn_x層のPLスペクトルでは,直接遷移・間接遷移の両放射再結合を示す二つの成分を観測した。一方,H照射試料においては,直接遷移に関係する単一成分が観測された。蒸着後に窒素雰囲気220°Cの低温アニーリングを行うと,H照射Ge_1-xSn_x層のPL強度は低下する。ただし,300°Cのアニーリングによって強度は回復する。これは,Ge_1-xSn_x層中の点欠陥が消滅したことを示している。(翻訳著者抄録)

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半導体薄膜 , 半導体のルミネセンス

引用文献 (33件)：

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Ge1-xSnx層の水素界面活性剤媒介エピタキシーおよび結晶品質とフォトルミネセンス特性に対するその影響

Ge_1-xSn_x層の水素界面活性剤媒介エピタキシーおよび結晶品質とフォトルミネセンス特性に対するその影響