反応性電子ビームスパッタリング法により堆積したTiO<sub>2</sub>薄膜の光学的性質

KRUCHININ V. N.; PEREVALOV T. V.; ATUCHIN V. V.; ATUCHIN V. V.; ATUCHIN V. V.; ATUCHIN V. V.; ATUCHIN V. V.; GRITSENKO V. A.; GRITSENKO V. A.; KOMONOV A. I.; KOROLKOV I. V.; KOROLKOV I. V.; POKROVSKY L. D.; SHIH Cheng Wei; CHIN Albert

文献

J-GLOBAL ID：201702237647935166 整理番号：17A1604180

反応性電子ビームスパッタリング法により堆積したTiO₂薄膜の光学的性質

Optical Properties of TiO₂ Films Deposited by Reactive Electron Beam Sputtering

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=17A1604180&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=17A1604180&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0277B") }}

著者 (15件)： , , , , , , , , , , , , , ,
資料名：
巻： 46 号： 10 ページ： 6089-6095 発行年： 2017年10月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

二酸化チタン(TiO₂)は,通常,ルチル,アナターゼまたはブルッカイトの3つの多形体のうちの1つで結晶化し,そのうちルチルは温度T=24°Cにおいて最も一般的で最も熱力学的に安定である。本研究では,低基板温度での反応雰囲気中での,TiO₂ターゲットの電子ビームスパッタリングによって作製されたTiO₂薄膜の形態学的,構造的および光学的特性を評価することを目的とした。a-TiO₂/Si膜は,反応性雰囲気中でのa-TiO₂セラミックターゲットの電子ビームスパッタリングによって調製した。幅広い厚さの範囲内で,この技術は,アモルファス上面層を有する多結晶アナターゼ(a-TiO₂)フィルムの製造を可能にした。予期されたように,完全にアモルファスなTiO₂薄膜は,数ナノメートルの厚さの範囲でしか形成できなかった。膜表面は,約20nmの特徴的な高さを有する浅いヒロックマイクロリリーフにより特徴付けられた。この堆積技術を用いた場合,スパッタリング時間とともにヒロック高さは増加しなかった。

, , , , , ,
, ,

酸化物薄膜 , その他の無機化合物の結晶構造 , 固体の表面構造一般

, , , , , ,

前のページに戻る

反応性電子ビームスパッタリング法により堆積したTiO2薄膜の光学的性質

反応性電子ビームスパッタリング法により堆積したTiO₂薄膜の光学的性質