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J-GLOBAL ID：201702237802456184   整理番号：17A0955260

ペンタセンの薄膜成長に対するZnOの結晶極性効果

Crystallographic polarity effect of ZnO on thin film growth of pentacene

著者 (11件)： NAKAMURA Tatsuru (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  NAKAMURA Tatsuru (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  NAGATA Takahiro (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  HAYAKAWA Ryoma (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  YOSHIMURA Takeshi (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  OH Seungjun (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  HIROSHIBA Nobuya (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  HIROSHIBA Nobuya (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  CHIKYOW Toyohiro (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  FUJIMURA Norifumi (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  WAKAYAMA Yutaka (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 4S  ページ： 04CJ03.1-04CJ03.6  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 典型的なπ結合有機半導体であるペンタセンの薄膜成長に対するZnOの自発分極の影響を調べた。ペンタセン薄膜は,超低速有機薄膜物理蒸着法によって極性ZnO表面上に成長させて層状成長を得た。X線回折測定により,ペンタセン分子が極性ZnO表面上に直立し,膜が薄膜およびバルク相の2つの多形体からなることを明らかにした。ペンタセンの薄膜相は,ZnO基板の極性にかかわらず6分子層未満の膜厚で観察された。しかし,O極性ZnO基板とは異なり,Zn極性ZnO基板上のペンタセンは徐々にバルク相に変化した。Kelvinプローブ力顕微鏡測定により,ペンタセンの表面電位は,膜厚2分子層未満で,ペンタセン厚の増加に伴いより正になることを明らかにした。Zn極性ZnO基板上のペンタセンの電位の変化は,O極性ZnO基板の場合よりも大きかった。これらの知見は,半導体の極性により無機/有機半導体界面の成長および電子状態を制御できることを示している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *物理蒸着 ,  *有機材料 ,  有機半導体 ,  *酸化亜鉛 ,  力顕微鏡 ,  膜厚 ,  界面 ,  酸化物 ,  薄膜 ,  *ハイブリッド複合材料 ,  表面電位 ,  自発分極 ,  微細構造 ,  ポリアセン
準シソーラス用語： *有機薄膜 ,  *ZnO ,  Kelvinプローブ力顕微鏡 ,  酸化物薄膜 ,  *有機無機ハイブリッド複合材料

分類 (1件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L)

物質索引 (1件)： ペンタセン

引用文献 (40件)：

• M. Law, L. E. Greene, J. C. Johnson, R. Saykally, and P. Yang, Nat. Mater. 4, 455 (2005).
• Y. Guo, Y. Zhang, H. Liu, S. W. Lai, Y. Li, Y. Li, W. Hu, S. Wang, C. M. Che, and D. Zhu, J. Phys. Chem. Lett. 1, 327 (2010).
• H. Lin, H. Liu, X. Qian, S. Lai, Y. Li, N. Chen, C. Ouyang, C. Che, and Y. Li, Inorg. Chem. 50, 7749 (2011).
• S. Oh, T. Nagata, J. Volk, and Y. Wakayama, J. Appl. Phys. 113, 083708 (2013).
• D. M. Bagnall, Y. F. Chen, Z. Zhu, T. Yao, S. Koyama, M. Y. Shen, and T. Goto, Appl. Phys. Lett. 70, 2230 (1997).

タイトルに関連する用語 (4件)： ペンタセン ,  薄膜成長 ,  ZnO ,  結晶