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J-GLOBAL ID：201702238794472431   整理番号：17A1220598

成長させたままのβ-Ga₂O₃単結晶におけるナノメータサイズ結晶溝の観測

Observation of nanometer-sized crystalline grooves in as-grown β-Ga₂O₃ single crystals

著者 (9件)： HANADA Kenji (Saga Univ., Saga, JPN) ,  MORIBAYASHI Tomoya (Saga Univ., Saga, JPN) ,  UEMATSU Takumi (Saga Univ., Saga, JPN) ,  MASUYA Satoshi (Saga Univ., Saga, JPN) ,  KOSHI Kimiyoshi (Tamura Corp., Saitama, JPN) ,  SASAKI Kohei (Tamura Corp., Saitama, JPN) ,  KURAMATA Akito (Tamura Corp., Saitama, JPN) ,  UEDA Osamu (Kanazawa Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  KASU Makoto (Saga Univ., Saga, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 55  号： 3  ページ： 030303.1-030303.4  発行年： 2016年03月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： カットし研磨した成長させたままのβ-Ga₂O₃単結晶の表面に,[001]方向に長く伸びたナノメータサイズの溝を見出した。これらの溝が,[010]方向に結晶内に留まることを確認した。その代表的な長さ及び幅は,それぞれ,[001]方向に50~1200nm及び{100}方向に~40nmであった。溝は,[001]方向にアレイを形成する傾向があった。ナノメータサイズの溝の型は,エッチピットとは基本的に異なった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化ガリウム ,  *単結晶 ,  *表面欠陥 ,  *溝 ,  エッチピット ,  β相 ,  化合物半導体 ,  穴 ,  結晶方位 ,  表面構造
準シソーラス用語： マイクロパイプ

分類 (2件)： 酸化物の結晶成長  (BK13050I) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

引用文献 (18件)：

• H. H. Tippins, Phys. Rev. 140, A316 (1965).
• M. Higashiwaki, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, Appl. Phys. Lett. 100, 013504 (2012).
• K. Sasaki, M. Higashiwaki, A. Kuramata, T. Masui, and S. Yamakoshi, IEEE Electron Device Lett. 34, 493 (2013).
• T. Oishi, Y. Koga, K. Harada, and M. Kasu, Appl. Phys. Express 8, 031101 (2015).
• M. Orita, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 77, 4166 (2000).

タイトルに関連する用語 (6件)： 成長 ,  β-Ga2O3 ,  単結晶 ,  ナノメータサイズ ,  結晶 ,  観測