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J-GLOBAL ID：201702238972448273   整理番号：17A1444448

量子カスケードレーザ構造におけるAl_0 45Ga_0 1.55As/In-xGa_1xAs活性領域における歪緩和の開始について【Powered by NICT】

On the onset of strain relaxation in the Al_0.45Ga_0.55As/In_xGa_1-xAs active region in quantum cascade laser structures

著者 (6件)： Sankowska Iwona (Institute of Electron Technology, Al. Lotnikow 32/46, Warsaw, 02-668, Poland) ,  Gutowski Piotr (Institute of Electron Technology, Al. Lotnikow 32/46, Warsaw, 02-668, Poland) ,  Jasik Agata (Institute of Electron Technology, Al. Lotnikow 32/46, Warsaw, 02-668, Poland) ,  Czuba Krzysztof (Institute of Electron Technology, Al. Lotnikow 32/46, Warsaw, 02-668, Poland) ,  Dabrowski Jerzy (Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Al. Lotnikow 32/46, Warsaw, 02-668, Poland) ,  Bugajski Maciej (Institute of Electron Technology, Al. Lotnikow 32/46, Warsaw, 02-668, Poland)
資料名： Journal of Applied Crystallography  (Journal of Applied Crystallography)
巻： 50  号： 5  ページ： 1376-1381  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0631A  ISSN： 0021-8898  CODEN： JACGAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (001)GaAs基板上に成長させた量子カスケードレーザ構造におけるAl_0 0.45Ga_0 0.55As/In_xGa_1xAs活性領域を,高分解能X線回折法を用いて調べた。歪緩和過程の開始を研究した。逆空間マッピングは,散漫散乱であるIn_xGa_1xAs層で2.64%を有する構造物の緩和の初期段階で可視化できることを示した。散漫散乱は構造の部分的な緩和によって発生した不整合転位の結果であることが証明されている。散漫散乱の統合は,転位密度の決定を可能にした。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 散漫散乱 ,  転位密度 ,  構造物 ,  *量子カスケードレーザ ,  *緩和現象 ,  可視化 ,  *活性部位 ,  不整合転位
準シソーラス用語： 空間マッピング ,  高分解能X線回折 ,  *歪緩和 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： superlattices ,  転位密度 ,  散漫散乱 ,  緩和機構

分類 (1件)： X線回折法  (BK01020I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 量子カスケードレーザ ,  活性領域 ,  歪緩和