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J-GLOBAL ID：201702239027204260   整理番号：17A0482472

プラズマエッチングによる剥離準二次元β-Ga₂O₃薄片の厚み調節

Tuning the thickness of exfoliated quasi-two-dimensional β-Ga₂O₃ flakes by plasma etching

著者 (6件)： Kwon Yongbeom (Department of Chemical and Biological Engineering, Korea University, Seoul 02841, South Korea) ,  Lee Geonyeop (Department of Chemical and Biological Engineering, Korea University, Seoul 02841, South Korea) ,  Oh Sooyeoun (Department of Chemical and Biological Engineering, Korea University, Seoul 02841, South Korea) ,  Kim Jihyun (Department of Chemical and Biological Engineering, Korea University, Seoul 02841, South Korea) ,  Pearton Stephen J. (Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611, USA) ,  Ren Fan (Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 110  号： 13  ページ： 131901-131901-5  発行年： 2017年03月27日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *プラズマエッチング ,  *酸化ガリウム ,  剥離 ,  電子顕微鏡観察 ,  X線回折 ,  *電流電圧特性 ,  フッ化硫黄 ,  半導体材料
準シソーラス用語： 六弗化硫黄

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： プラズマエッチング ,  薄片 ,  厚み調節