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J-GLOBAL ID：201702239176873202   整理番号：17A0362451

加速時効中のEFTバーストに対するマイクロコントローラ感受性変化【Powered by NICT】

Microcontroller susceptibility variations to EFT burst during accelerated aging

著者 (7件)： Wu J. (College of Electronic and Engineering, National University of Defense Technology, Changsha, China) ,  Wu J. (Tianjin Binhai Civil-military Integrated Innovation Institute, Tianjin, China) ,  Li C. (College of Electronic and Engineering, National University of Defense Technology, Changsha, China) ,  Li B. (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Li B. (Key Laboratory of Silicon Device and Technology, Beijing, China) ,  Zhu W. (Tianjin Binhai Civil-military Integrated Innovation Institute, Tianjin, China) ,  Wang H. (College of Electronic and Engineering, National University of Defense Technology, Changsha, China)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 64  ページ： 210-214  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電磁環境の悪化に伴い,過渡的バースト干渉にマイクロコントローラユニット(MCU)電磁感受性(EMS)は,学界と企業の焦点となっている。MCUの大部分電磁両立性(EMC)研究は,加齢の影響を考慮していない。しかし,構成物の老化は,MCUの物理的パラメータを分解し,EMIへの免疫を変えることができる。直流電気的および高温ストレスを組み合わせることでの同時期の地層区間加速エージング方法を提案した。試験結果は,感受性増加を明らかにした電気的高速過渡(EFT)バーストに対する感受性の変化を示した。老化過程におけるMCU免疫ドリフトの理由を考察した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 干渉 ,  暑熱ストレス ,  *マイクロコントローラ ,  ドリフト ,  地層 ,  *感受性 ,  電磁両立性 ,  *時効 ,  高速度 ,  電磁環境 ,  直流 ,  *バースト
準シソーラス用語： イミュニティ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： キーワードマイクロコントローラ ,  Susceptibility ,  EFTバースト ,  加速加齢

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 加速 ,  時効 ,  バースト ,  マイクロコントローラ ,  感受性