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J-GLOBAL ID：201702239722740776   整理番号：17A1406930

共スパッタリング蒸着と蒸着後テルル化アニールプロセスにより合成されたバンドギャップ同調MoS_2(1-x)Te_2xハイブリッド薄膜

Band gap-tuned MoS_2(1-x)Te_2x thin films synthesized by a hybrid Co-sputtering and post-deposition tellurization annealing process

著者 (8件)： HIBINO Yusuke (Meiji Univ., Kanagawa-ken, JPN) ,  ISHIHARA Seiya (Meiji Univ., Kanagawa-ken, JPN) ,  SAWAMOTO Naomi (Meiji Univ., Kanagawa-ken, JPN) ,  OHASHI Takumi (Tokyo Inst. of Technol., Kanagawa-ken, JPN) ,  MATSUURA Kentarou (Tokyo Inst. of Technol., Kanagawa-ken, JPN) ,  MACHIDA Hideaki (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo-to, JPN) ,  WAKABAYASHI Hitoshi (Tokyo Inst. of Technol., Kanagawa-ken, JPN) ,  OGURA Atsushi (Meiji Univ., Kanagawa-ken, JPN)
資料名： Journal of Materials Research  (Journal of Materials Research)
巻： 32  号： 16  ページ： 3021-3028  発行年： 2017年08月28日 
JST資料番号： D0987B  ISSN： 0884-2914  CODEN： JMREEE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移金属ジカルコゲニド(TMD)は,MX₂(M=Mo,W:X=S,Se,Te)を有する化合物である。移動度およびバンドギャップ特性は,遷移金属とカルコゲンの比率に依存し,例えば,MoS_2(1-x)Te_2xは,2種のTMDをハイブリッド化することによって同調可能なバンドギャップ範囲の拡大に効果的な方法であると提案されている。しかし,その製造法に関しては,未だ報告されていない。そこで本研究では,異なるターゲット上のRFスパッタパワーを調整するだけで,必要なバンドギャップ(組成比)を簡単に制御できる作製法の確立を目的に,新規なTe前駆体(i-C₃H₇)₂Teを用いて,高温共スパッタリング蒸着と蒸着後テルル化アニールにより,初めて本ハイブリッド薄膜の作製を試みた。その結果,1)Te濃度xが0.48~0.61,バンドギャップ値が0.80~0.87eVと高い結晶品質の薄膜を作製することができた。2)必要なバンドギャップ値から組成xを決定するパラメータbを1.06eVと決定した。

シソーラス用語： *カルコゲン化物 ,  *遷移金属化合物 ,  *ハイブリッド方式 ,  硫化モリブデン ,  テルル化物 ,  モリブデン化合物 ,  *バンドギャップ ,  *同調 ,  焼なまし ,  前駆体 ,  パラメータ ,  スパッタ蒸着 ,  X線光電子分光法 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  走査電子顕微鏡 ,  Ramanスペクトル ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜
準シソーラス用語： チューニング ,  テルル化モリブデン ,  *ハイブリッド化 ,  ポストアニール処理 ,  共スパッタリング ,  *遷移金属ジカルコゲン化物

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 共スパッタリング ,  蒸着 ,  テルル ,  アニールプロセス ,  バンドギャップ ,  同調 ,  MoS2 ,  薄膜