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J-GLOBAL ID：201702239756161865   整理番号：17A0590324

PECVD超低誘電率pSiCOHの表面および埋め込み界面における分子構造のSFG解析:反応性イオンエッチングおよび誘電性回復

SFG analysis of the molecular structures at the surfaces and buried interfaces of PECVD ultralow-dielectric constant pSiCOH: Reactive ion etching and dielectric recovery

著者 (6件)： Myers John N. (Department of Chemistry, University of Michigan, 930 North University Avenue, Ann Arbor, Michigan 48109, USA) ,  Zhang Xiaoxian (Department of Chemistry, University of Michigan, 930 North University Avenue, Ann Arbor, Michigan 48109, USA) ,  Huang Huai (IBM Albany Nanotech, 257 Fuller Rd, Albany, New York 12203, USA) ,  Shobha Hosadurga (IBM Albany Nanotech, 257 Fuller Rd, Albany, New York 12203, USA) ,  Grill Alfred (IBM T. J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Road, Yorktown Heights, New York 10598, USA) ,  Chen Zhan (Department of Chemistry, University of Michigan, 930 North University Avenue, Ann Arbor, Michigan 48109, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 110  号： 18  ページ： 182902-182902-5  発行年： 2017年05月01日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *プラズマCVD ,  *誘電率 ,  水酸化物 ,  *ケイ素化合物 ,  炭化物 ,  炭化ケイ素 ,  *表面 ,  *構造物 ,  *界面 ,  *分子構造 ,  スペクトロスコピー ,  RIE【エッチング】 ,  振動分光法 ,  Auger分光法 ,  アルキル基 ,  被覆率 ,  有機材料
準シソーラス用語： PECVD ,  *低誘電率 ,  *固体表面 ,  *埋込み構造物 ,  *固固界面 ,  和周波発生分光法 ,  反応性イオンエッチング ,  Auger電子分光法 ,  メチル基 ,  有機薄膜

分類 (3件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  分子構造と性質の実験的研究  (CB01020I) ,  分子の幾何学的構造一般  (BH05021S)

タイトルに関連する用語 (9件)： PECVD ,  低誘電率 ,  埋め込み ,  界面 ,  分子構造 ,  解析 ,  反応性イオンエッチング ,  誘電性 ,  回復