文献

J-GLOBAL ID：201702240495693461   整理番号：17A0969267

UVフォトリソグラフィーを用いて作製したエポキシを基にしたフォトレジストの懸濁微細構造【Powered by NICT】

Suspended microstructures of epoxy based photoresists fabricated with UV photolithography

著者 (4件)： Hemanth Suhith (Department of Micro and Nanotechnology, DTU Nanotech, 2800 Kongens Lyngby, Denmark) ,  Anhoj Thomas A. (DTU Danchip, 2800 Kongens Lyngby, Denmark) ,  Caviglia Claudia (Department of Micro and Nanotechnology, DTU Nanotech, 2800 Kongens Lyngby, Denmark) ,  Keller Stephan S. (Department of Micro and Nanotechnology, DTU Nanotech, 2800 Kongens Lyngby, Denmark)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 176  ページ： 40-44  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,UV光リソグラフィーを用いてエポキシ系フォトレジストの懸濁微細構造を作製するための簡単,迅速で,信頼性のある低コスト微細加工技術を提示した。313nmと405nmの波長でのUV曝露を用いたエポキシ系樹脂(SU-8とMR DWL)の二種類の製作プロセスを最適化し,比較し構造安定性,懸濁層の厚さの制御と解像度限界の点であった。313nmまたは365nm UVフォトリソグラフィープロセスと比較した場合,それぞれ365nmと405nmで二UV曝露二フォトレジストSU-8とMR DWLを組み合わせた新しい製造プロセスは5μmまでの横方向の大きさが明確に定義された懸濁微細構造の定義のための広い処理窓を提供した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 最適化 ,  紫外線 ,  *フォトリソグラフィー ,  *リソグラフィー ,  波長 ,  *フォトレジスト ,  分解能 ,  信頼性 ,  生産工程 ,  *微細構造
準シソーラス用語： SU-8 ,  構造安定性 ,  微細加工技術 ,  ローコスト , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 405nm UVフォトリソグラフィー ,  懸濁した微細構造 ,  SU-8 ,  Mr DWL

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： フォトリソグラフィー ,  作製 ,  フォトレジスト ,  懸濁 ,  微細構造