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J-GLOBAL ID：201702241748357880   整理番号：17A0782854

二層グラフェン接合におけるAndreev反射:電荷中性点の空間変動の役割

Andreev Reflection in a Bilayer Graphene Junction: Role of Spatial Variation of the Charge Neutrality Point

著者 (3件)： TAKANE Yositake (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  YARIMIZU Katsuhide (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  KANDA Akinobu (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名： Journal of the Physical Society of Japan  (Journal of the Physical Society of Japan)
巻： 86  号： 6  ページ： 064707.1-064707.8  発行年： 2017年06月15日 
JST資料番号： G0509A  ISSN： 0031-9015  CODEN： JUPSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バルク超伝導体が一部被覆したグラフェンシートは,常伝導体-超伝導体(NS)接合として作用し,そこでの電子輸送は主にAndreev反射(AR)に支配される。被覆領域にわたって誘起された過剰なキャリアは遮蔽長にわたって非被覆領域中へ侵入するため,非被覆領域の電荷中性点(CNP)はNS界面近くでのみシフトする。二層グラフェン接合における電子輸送を理論的に電子ドープの場合にCNP空間変動を考慮して研究した。Fermi準位がNS界面から離れたCNPの近くにあるとき,ARは,pn接合で起こる反射正孔の回折が原因となった鏡面的なやり方で起こる。微分コンダクタンスは,pn接合の影響下でバイアス電圧の関数として異常な非対称挙動を見せることを示した。Fermi準位がCNPより下にあれば,pn接合からNS界面近くにほぼ束縛された状態が生じ,その結果,微分コンダクタンスに共鳴ピークが現れることも示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： グラフェン ,  *Andreev反射 ,  *超伝導接合 ,  点 ,  ドーピング ,  コンダクタンス ,  Fermi準位
準シソーラス用語： *二層グラフェン ,  電荷中性点 ,  電子ドーピング ,  *微分コンダクタンス

分類 (1件)： Josephson接合・素子  (BM04043E)

引用文献 (26件)：

• H. B. Heersche, P. Jarillo-Herrero, J. B. Oostinga, L. M. K. Vandersypen, and A. F. Morpurgo, Nature 446, 56 (2007).
• F. Miao, S. Wijeratne, Y. Zhang, U. C. Coskun, W. Bao, and C. N. Lau, Science 317, 1530 (2007).
• T. Sato, T. Moriki, S. Tanaka, A. Kanda, H. Goto, H. Miyazaki, S. Odaka, Y. Ootuka, K. Tsukagoshi, and Y. Aoyagi, Physica E 40, 1495 (2008).
• X. Du, I. Skachko, and E. Y. Andrei, Phys. Rev. B 77, 184507 (2008).
• D. Jeong, J.-H. Choi, G.-H. Lee, S. Jo, Y.-J. Doh, and H.-J. Lee, Phys. Rev. B 83, 094503 (2011).

タイトルに関連する用語 (6件)： 二層グラフェン ,  Andreev反射 ,  電荷 ,  中性点 ,  空間変動 ,  役割