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J-GLOBAL ID：201702241820905195   整理番号：17A1141951

RIE-GaN表面でのAlGaNのMOVPE成長挙動

著者 (4件)： 山本あき勇 (福井大 大学院) ,  金谷彗杜 (福井大 大学院) ,  牧野伸哉 (福井大 大学院) ,  葛原正明 (福井大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.8p-A301-11  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  薄膜成長 ,  MOCVD ,  *RIE【エッチング】 ,  *基板 ,  ウエハ【IC】 ,  X線回折 ,  アンモニア ,  窒化ガリウム ,  *窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： *MOVPE

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： RIE ,  GaN ,  AlGaN ,  MOVPE ,  成長 ,  挙動