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J-GLOBAL ID：201702242036671029   整理番号：17A0777153

大気による劣化軽減のためのHfS₂ FETの真空アニールとパッシベーション

Vacuum Annealing and Passivation of HfS₂ FET for Mitigation of Atmospheric Degradation

著者 (3件)： UPADHYAYA Vikrant (Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology) ,  KANAZAWA Toru (Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology) ,  MIYAMOTO Yasuyuki (Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Institute of Technology)
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Web)  (IEICE Transactions on Electronics (Web))
巻： E100.C  号： 5  ページ： 453-457(J-STAGE)  発行年： 2017年 
JST資料番号： U0468A  ISSN： 1745-1353  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2次元(2D)材料をベースにしたデバイスの性能は,長期間の大気暴露に大きく影響される。本稿では,HfS₂電界効果トランジスタの電気的特性に関して,時間をベースにした環境による劣化を分析した。酸素や水分などの大気の構成要素はデバイス表面に悪影響を及ぼす。ドレイン電流の減少を48時間にわたって観察した。汚染物質による電流の減少に対処するための,2つの是正措置であるPMMAパッシベーションと真空アニールを調査した。PMMAパッシベーションは,環境からデバイスを保護し,クーロン散乱の影響を軽減した。電流特性の改善は,2D材料に対する誘電体パッシベーションの重要性を示していた。一方,真空アニールは,影響を受けた表面から汚染物質を除去するために役立った。最適なプロセス条件を見付けるために,様々なアニール温度で特性を調査した。アニール温度の最適範囲内において真空アニールを行うことで,ドレイン電流レベルに改善を認めた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ハフニウム化合物 ,  *硫黄化合物 ,  *FET【トランジスタ】 ,  焼なまし ,  不動態化 ,  大気中 ,  劣化 ,  電流 ,  信頼度 ,  集積回路信頼性 ,  改変 ,  度
準シソーラス用語： アニール処理 ,  パッシベーション ,  ドレイン電流 ,  IC信頼性

著者キーワード (6件)： HfS₂ ,  field effect transistors ,  environmental degradation ,  passivation ,  PMMA ,  vacuum annealing

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (17件)：

• [1] K.S. Novoselov, A.K. Geim, S.V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S.V. Dubonos, I.V. Grigorieva, and A.A. Firsov, “Electric Field Effect in Atomically Thin Carbon Films,” Science, vol.306, pp.666-669, 2004.
• [2] K.S. Novoselov, A.K. Geim, S.V. Morozov, D. Jiang, M.I. Katsnelson, I.V. Grigorieva, S.V. Dubonos, and A.A. Firsov, “Two-dimensional gas of massless Dirac fermions in graphene,” Nature, vol.438, pp.197-200, 2005.
• [3] P. Avouris and F. Xia, “Graphene applications in electronics and photonics,” MRS Bulletin, vol.37, issue 12, pp.1225-1234, Dec. 2012.
• [4] A.K. Geim, “Graphene: Status and Prospects,” Science, vol.324, no.5934, pp.1530-1534, 19 June 2009.
• [5] Z.H. Ni, T. Yu, Y.H. Lu, Y.Y. Wang, Y.P. Feng, and Z.X. Shen, “Uniaxial Strain on Graphene: Raman Spectroscopy Study and Band-Gap Opening,” ACS Nano, vol.2, no.11, pp.2301-2305, 2008.

タイトルに関連する用語 (5件)： 大気 ,  FET ,  真空 ,  アニール ,  パッシベーション