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J-GLOBAL ID：201702242112454913   整理番号：17A1619714

制御可能な電流ポンプ技術を用いた,リップル1.2mVの4.5Vチャージポンプ

A 1.2 mV ripple, 4.5 V charge pump using controllable pumping current technology

著者 (10件)： Huang Cece (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences) ,  Huang Cece (School of Microelectronics, University of Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Yu (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences) ,  Chen Teng (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences) ,  Chen Teng (School of Microelectronics, University of Chinese Academy of Sciences) ,  Fu Liyin (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Qi (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Qi (School of Microelectronics, University of Chinese Academy of Sciences) ,  Huo Zongliang (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences) ,  Huo Zongliang (School of Microelectronics, University of Chinese Academy of Sciences)
資料名： IEICE Electronics Express (Web)  (IEICE Electronics Express (Web))
巻： 14  号： 18  ページ： 20170699(J-STAGE)  発行年： 2017年 
JST資料番号： U0039A  ISSN： 1349-2543  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文はきわめてリップルの少ない,4.5Vの安定したチャージポンプについて述べる。電圧逓倍器(VD)をもとに設計されたポンプは,出力のリップル電圧が著しく小さい。さらに,本回路は制御可能な電流ポンプ(CPC)技術を用いており,フィードバック機構と伝達トランジスタのサイズ変更による出力電流の自動調整を可能とした。本提案のチャージポンプは,0.32μm 3D NAND周辺技術において,3V電源供給において実証されている。シミュレーションの結果は,0.1μF負荷容量で,5mA負荷電流時において,出力リップル電圧は1.2mVであることを示す。最大電流駆動能力と電力効率はそれぞれ8mAと81%である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *励起 ,  電流制御 ,  *電圧制御 ,  フラッシュメモリ ,  設計
準シソーラス用語： 3次元NAND ,  チャージポンプ ,  *チャージポンプ回路 ,  デバイス設計 ,  *定電圧制御

著者キーワード (4件)： charge pump ,  CPC ,  small ripple ,  flash memory

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (13件)：

• [1] K. T. Park, et al.: “Three-dimensional 128 Gb MLC vertical NAND Flash-memory with 24-WL stacked layers and 50 MB/s high-speed programming,” ISSCC Dig. Tech. Papers (2014) 334 (DOI: 10.1109/ISSCC.2014.6757458).
• [2] J. W. Im, et al.: “A 128 Gb 3b/cell V-NAND flash memory with 1 Gb/s I/O rate,” ISSCC Dig. Tech. Papers (2015) 1 (DOI: 10.1109/ISSCC.2015.7062960).
• [3] D. Kang, et al.: “256 Gb 3b/cell V-NAND flash memory with 48 stacked WL layers,” ISSCC Dig. Tech. Papers (2016) 130 (DOI: 10.1109/ISSCC.2016.7417941).
• [4] C. Kim, et al.: “A 512 Gb 3b/cell 64-stacked WL 3D V-NAND flash memory,” ISSCC Dig. Tech. Papers (2017) 202 (DOI: 10.1109/ISSCC.2017.7870331).
• [5] T. Tanzawa, et al.: “Design challenge in 3D NAND technology: A 4.8× area- and 1.3× power-efficient 20 V charge pump using tier capacitors,” A-SSCC (2016) 165 (DOI: 10.1109/ASSCC.2016.7844161).

タイトルに関連する用語 (1件)： チャージポンプ