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J-GLOBAL ID：201702242265165518   整理番号：17A0644103

総説:ランタン系ニクタイドの薄膜とナノ粒子のIII-V族半導体へのエピタキシャル取込みの概要

Review Article: Overview of lanthanide pnictide films and nanoparticles epitaxially incorporated into III-V semiconductors

著者 (5件)： Bomberger Cory C. (Department of Materials Science and Engineering, University of Delaware, Newark, Delaware 19716) ,  Lewis Matthew R. (Department of Materials Science and Engineering, University of Delaware, Newark, Delaware 19716) ,  Vanderhoef Laura R. (Department of Physics and Astronomy, University of Delaware, Newark, Delaware 19716) ,  Doty Matthew F. (Department of Materials Science and Engineering, University of Delaware, Newark, Delaware 19716 and Department of Physics and Astronomy, University of Delaware, Newark, Delaware 19716) ,  Zide Joshua M. O. (Department of Materials Science and Engineering, University of Delaware, Newark, Delaware 19716)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 35  号： 3  ページ： 030801-030801-25  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ランタン系ニクタイドナノ粒子と薄膜のIII-V族基質への取込みは,広範囲の潜在的な,光学的・電気的・熱的性質をもつ半導体複合材を可能にし,熱電気,トンネル接合,光電導スイッチ,における応用,および接触層として役に立つ。結晶構造と格子定数の類似性のため,III-V族半導体に低欠陥密度と高い膜質を有してエピタキシャルに取込みが可能である。これらの複合材の成長機構と現在の応用に沿って,最近の開発に焦点を当て,様々な成長法を議論する。他の成長方法にも言及するが,分子線エピタキシー薄膜成長で得られた結果に注目する。これらの複合材の顕微鏡による分析と合わせて,光学的・電気的特性分析について報告し,ナノ含有物組成と形態の,複合材料の性質に対する影響を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ナノ粒子 ,  *ランタン化合物 ,  *窒素族元素化合物 ,  *化合物半導体 ,  *ヘテロエピタクシー ,  半導体薄膜 ,  *ドーピング ,  *格子整合 ,  *MBE成長 ,  トンネル効果 ,  熱電効果 ,  アンテナ ,  層 ,  複合材料
準シソーラス用語： *III-V族半導体 ,  光伝導スイッチ ,  接触層

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 総説 ,  ランタン系 ,  ニクタイド ,  薄膜 ,  ナノ粒子 ,  エピタキシャル ,  取込み ,  概要