合金ターゲットを用い反応性スパッタリングによって堆積された酸化インジウム系透明導電膜

MIYAZAKI Yusuke; MARUYAMA Eri; JIA Junjun; MACHINAGA Hironobu; SHIGESATO Yuzo

文献

J-GLOBAL ID：201702242429062327 整理番号：17A0955164

合金ターゲットを用い反応性スパッタリングによって堆積された酸化インジウム系透明導電膜

Indium oxide-based transparent conductive films deposited by reactive sputtering using alloy targets

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資料名：
巻： 56 号： 4 ページ： 045503.1-045503.7 発行年： 2017年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

高品質透明導電性酸化物(TCO)膜,SnをドープしたIn₂O₃(ITO)およびIn₂O₃-ZnO(IZO)を,合成石英またはポリエチレンテレフタレート(PET)基板のいずれかに,dcマグネトロンスパッタリングの遷移領域において,In-ZnおよびIn-Sn合金ターゲットをそれぞれ使用して,特別に設計されたプラズマ放出フィードバックシステムを用いて堆積した。組成,結晶化度,表面モルフォロジー,およびフィルムの電気的および光学的特性を分析した。全てのIZO膜は非晶質であったが,ITO膜は広範囲の堆積条件にわたって多結晶であった。加熱されたPET基板上に150°Cで堆積されたIZO及びITO膜の最小抵抗率は,それぞれ3.3×10^-4および5.4×10^-4Ω・cmであった。非加熱PET基板に高周波バイアスを印加することにより,抵抗率4.4×10^-4Ω・cmのITO膜を-60Vの直流自己バイアス電圧で堆積した。(翻訳著者抄録)

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金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造 , 半導体薄膜 , 半導体結晶の電気伝導

引用文献 (20件)：

I. Hamberg and C. G. Granqvist, J. Appl. Phys. 60, R123 (1986).
A. Kaijio, K. Inoue, S. Matsuzaki, and Y. Shigesato, Proc. 4th Pacific Rim Int. Conf. Advanced Materials and Processing (PRICM-4), 2001, p. 1787.
T. Sasabayashi, N. Ito, E. Nishimura, M. Kon, P. K. Song, K. Utsumi, A. Kaijo, and Y. Shigesato, Thin Solid Films 445, 219 (2003).
N. Ito, Y. Sato, P. K. Song, A. Kaijo, K. Inoue, and Y. Shigesato, Thin Solid Films 496, 99 (2006).
E. Nishimura, T. Sasabayashi, Y. Sato, K. Utsumi, K. Yano, A. Kaijyo, K. Inoue, and Y. Shigesato, Jpn. J. Appl. Phys. 46, 7806 (2007).

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