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J-GLOBAL ID：200902207125595770   整理番号：08A0035885

DCマグネトロンスパッタリングによって蒸着されたすずドープ酸化インジウムおよび酸化インジウム亜鉛のフィルムの構造および内部応力

Structure and Internal Stress of Tin-Doped Indium Oxide and Indium-Zinc Oxide Films Deposited by DC Magnetron Sputtering

著者 (10件)： NISHIMURA Eriko (Aoyama Gakuin Univ., Kanagawa, JPN) ,  NISHIMURA Eriko (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  SASABAYASHI Tomoko (Aoyama Gakuin Univ., Kanagawa, JPN) ,  ITO Norihiro (Aoyama Gakuin Univ., Kanagawa, JPN) ,  SATO Yasushi (Aoyama Gakuin Univ., Kanagawa, JPN) ,  UTSUMI Kentaro (Tosoh Corp., Kanagawa, JPN) ,  YANO Koki (Idemitsu Kosan Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  KAIJO Akira (Idemitsu Kosan Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  INOUE Kazuyoshi (Idemitsu Kosan Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  SHIGESATO Yuzo (Aoyama Gakuin Univ., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 46  号： 12  ページ： 7806-7811  発行年： 2007年12月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： すずドープ酸化インジウム(ITO)および酸化インジウム亜鉛(...

シソーラス用語： *マグネトロンスパッタリング ,...
準シソーラス用語： スパッタリング蒸着

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分類 (2件)： 気相めっき  (WC08022K) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

引用文献 (18件)：

• T. Sasabayashi, N. Ito, E. Nishimura, M. Kon, P. K. Song, K. Utsumi, A. Kaijo, and Y. Shigesato: Thin Solid Films 445(2003)219.
• T. Sasabayashi, P. K. Song, Y. Shigesato, K. Utsumi, A. Kaijo, and A. Mitsui: Mater. Res. Soc. Symp. Proc.666(2001) F2.4.1.
• R. Latz, K. Michael, and M. Scherer: Jpn. J. Appl. Phys.30(1991) L149.
• I. Hamberg and C. G. Granqvist: J. Appl. Phys.60(1986) R123.
• Y. Shigesato, Y. Hayashi, and T. Haranoh: Appl. Phys. Lett.61(1992)73.

タイトルに関連する用語 (8件)： DCマグネトロンスパッタリング ,  蒸着 ,  すず ,  ドープ ,  酸化インジウム ,  酸化インジウム亜鉛 ,  フィルム ,  内部応力