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J-GLOBAL ID：201702242666850545   整理番号：17A0991028

チップスケール質量生産性高Qシリコンマイクロディスク【Powered by NICT】

Chip-Scale Mass Manufacturable High-Q Silicon Microdisks

著者 (11件)： Wang Yujie (State Key Laboratory on Tunable Laser Technology, Ministry of Industry and Information Technology Key Lab of Micro-Nano Optoelectronic Information System, Shenzhen Graduate School, Harbin Institute of Technology, Shenzhen, 518055, China) ,  Zhang Nan (State Key Laboratory on Tunable Laser Technology, Ministry of Industry and Information Technology Key Lab of Micro-Nano Optoelectronic Information System, Shenzhen Graduate School, Harbin Institute of Technology, Shenzhen, 518055, China) ,  Jiang Zhiqiang (Department of Applied Physics, Chongqiong University, Chongqing, 404100, P. R. China) ,  Wang Li (State Key Lab for Mesoscopic Physics and Department of Physics, Peking University, Beijing, 100871, P. R. China) ,  Xiao Yunfeng (State Key Lab for Mesoscopic Physics and Department of Physics, Peking University, Beijing, 100871, P. R. China) ,  Sun Wenzhao (State Key Laboratory on Tunable Laser Technology, Ministry of Industry and Information Technology Key Lab of Micro-Nano Optoelectronic Information System, Shenzhen Graduate School, Harbin Institute of Technology, Shenzhen, 518055, China) ,  Yi Ningbo (State Key Laboratory on Tunable Laser Technology, Ministry of Industry and Information Technology Key Lab of Micro-Nano Optoelectronic Information System, Shenzhen Graduate School, Harbin Institute of Technology, Shenzhen, 518055, China) ,  Liu Shuai (State Key Laboratory on Tunable Laser Technology, Ministry of Industry and Information Technology Key Lab of Micro-Nano Optoelectronic Information System, Shenzhen Graduate School, Harbin Institute of Technology, Shenzhen, 518055, China) ,  Gu Xiao (Department of Applied Physics, Chongqiong University, Chongqing, 404100, P. R. China) ,  Xiao Shumin (State Key Laboratory on Tunable Laser Technology, Ministry of Industry and Information Technology Key Lab of Micro-Nano Optoelectronic Information System, Shenzhen Graduate School, Harbin Institute of Technology, Shenzhen, 518055, China) ,  Song Qinghai (State Key Laboratory on Tunable Laser Technology, Ministry of Industry and Information Technology Key Lab of Micro-Nano Optoelectronic Information System, Shenzhen Graduate School, Harbin Institute of Technology, Shenzhen, 518055, China)
資料名： Advanced Materials Technologies  (Advanced Materials Technologies)
巻： 2  号： 6  ページ： ROMBUNNO.201600299  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2485A  ISSN： 2365-709X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高Qシリコンマイクロディスクは,オンチップフォトニックシステムのための基本的ビルディングブロックであり,過去数十年間に開発されたてきた。しかし,高Qシリコンマイクロディスクの実用化がジレンマに直面している。高Qシリコンマイクロディスクは電子ビームリソグラフィーで実現し,大規模作製するのが難しい。標準フォトリソグラフィーは,通常,粗い表面を有するマイクロディスクを生成し,高Q共振器を作ることができなかった。本研究は,この課題に取り組み,標準的なフォトリソグラフィーと等方性エッチングによるチップスケール高Qシリコンマイクロディスクを作製する新しいアプローチを報告した。標準フォトリソグラフィーは空洞境界上のマイクロスケール粗さを生成するが,これらの実験結果は,等方性エッチングプロセスはそれらを効果的に平滑化できることを示した。究極の表面粗さは,電子ビームリソグラフィーで作製したマイクロディスクと同等であった。,共振器Q因子は十億以上に改善した。従来のアプローチと比較して,この新しい方法は特に興味深い。を初めて同時にチップスケール高Qシリコンマイクロディスクを生成することができる。本研究は,大量生産高Qシリコンマイクロディスクのための重要な段階であり,多くの重要な応用のシリコンマイクロディスクの進歩を高めることができる,光学センシング,量子光学,集積光学素子である。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： Q値 ,  *フォトリソグラフィー ,  エッチング ,  大量生産 ,  量子光学 ,  共振器 ,  平滑化 ,  電子ビームリソグラフィー ,  等方性
準シソーラス用語： マイクロスケール ,  *マイクロディスク ,  ビルディングブロック , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 高品質因子 ,  等方性エッチング ,  シリコンマイクロディスク ,  標準フォトリソグラフィー

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： スケール ,  質量 ,  シリコン ,  マイクロディスク