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J-GLOBAL ID：201702242823619391   整理番号：17A1089538

GaN系集積化面発光素子用近紫外透明導電膜製作技術の開発研究

Fabrication of Near UV Transparent Conductive Film for GaN-based Integrated Surface Emitting Devices

著者 (6件)： 本田徹 (工学院大 先進工) ,  JANG Ja-Soon (Yeungnam Univ.) ,  佐藤光史 (工学院大 先進工) ,  永井裕己 (工学院大 先進工) ,  尾沼猛儀 (工学院大 先進工) ,  山口智広 (工学院大 先進工)
資料名： 工学院大学総合研究所年報  (Annual Report. Research Institute of Science and Technology, Kogakuin University)
号： 24  ページ： 85-91  発行年： 2017年07月 
JST資料番号： L2538A  ISSN： 1341-5786  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・集積化面発光素子を実現するために,透明導電膜の作製法と特性評価を確立。
・分子プレカーサー法(MPM)を用いたカーボ
・ンナノチューブ(CNT)添加Ga₂O₃膜の作製。
・ミストCVD法を用いたSn添加αーGa₂O₃単結晶膜の作製。
・反応性イオンエッチング(ICP-RIE)を用いた選択エッチングによる集積LEDデバイス作製の可能性。
・LED埋込型集積LEDデバイス作製の可能性。

シソーラス用語： *透明導電膜 ,  窒化ガリウム ,  近紫外線 ,  面発光レーザ ,  前駆体 ,  *化学蒸着 ,  薄膜 ,  *RIE【エッチング】 ,  *エッチング ,  *発光ダイオード ,  ドーピング ,  カーボンナノチューブ ,  スズ ,  *酸化ガリウム
準シソーラス用語： *分子プレカーサー法 ,  *ミストCVD ,  単結晶膜 ,  反応性イオンエッチング ,  *選択エッチング

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaN ,  集積化 ,  発光素子 ,  近紫外 ,  透明導電膜 ,  製作 ,  開発 ,  研究