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J-GLOBAL ID：201702243126467589   整理番号：17A0617095

Snフラックス法により成長させたSr充填Ge系タイプI単結晶包接化合物の熱電特性

Thermoelectric Properties of Sr-Filled Ge-Based Type I Single-Crystal Clathrate Grown by Sn-Flux Method

著者 (7件)： DENG Shuping (Yunnan Normal Univ., Kunming, CHN) ,  LIU Hongxia (Yunnan Normal Univ., Kunming, CHN) ,  LI Decong (Yunnan Open Univ., Kunming, CHN) ,  WANG Jinsong (Yunnan Normal Univ., Kunming, CHN) ,  CHENG Feng (Yunnan Normal Univ., Kunming, CHN) ,  SHEN Lanxian (Yunnan Normal Univ., Kunming, CHN) ,  DENG Shukang (Yunnan Normal Univ., Kunming, CHN)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 46  号： 5  ページ： 2662-2667  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Slackの提案したフォノンガラス-電子結晶(PGEC)概念から,タイプIクラスレートが熱電アプリケーション用として注目されるようになった。本稿では,Snフラックス法により成長させたSr充填Ge系タイプI単結晶包接化合物の熱電特性の検討を行った。Sr:Ga:Ge:Sn=8:16:x:20の元素組成比でx=30のとき,結晶構造中のグループIV(Ge+Sn)原子の含有量が最大値31.76at.%となり,その結果,格子パラメータが増加した。すべての試料の溶融点は約1012Kで,他の方法で製作した単結晶Sr₈Ga₁₆Ge₃₀より大幅に低かった。電気伝導率が増加し,x=24の試料でSeebeck係数の絶対値は750Kで193μV/Kに達した。すべての試料で,単結晶Sr_7.92Ga_15.04Sn_0.35Ge_30.69が,約750Kで最大性能指数ZT=1.0を示した。

シソーラス用語： *包接化合物 ,  熱電効果 ,  *フラックス法 ,  格子定数 ,  融点 ,  電気伝導率 ,  輸送係数 ,  *熱起電力 ,  性能指数
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  *クラスレート化合物 ,  格子パラメータ ,  溶融点

分類 (1件)： 熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (9件)： Sn ,  フラックス法 ,  成長 ,  Sr ,  Ge ,  タイプ ,  単結晶 ,  包接化合物 ,  熱電特性