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J-GLOBAL ID：201702243468071529   整理番号：17A1813357

走査型トンネル顕微鏡及び分光法によるLaO_0.5F_0.5BiSe₂における超変調の観測

Observation of Supermodulation in LaO_0.5F_0.5BiSe₂ by Scanning Tunneling Microscopy and Spectroscopy

著者 (4件)： DEMURA Satoshi (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  ISHIDA Naoki (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  FUJISAWA Yuita (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  SAKATA Hideaki (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
資料名： Journal of the Physical Society of Japan  (Journal of the Physical Society of Japan)
巻： 86  号： 11  ページ： 113701.1-113701.4  発行年： 2017年11月15日 
JST資料番号： G0509A  ISSN： 0031-9015  CODEN： JUPSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4.2Kで走査型トンネル顕微鏡/分光法により単結晶LaO_0.5F_0.5BiSe₂における表面構造と電子構造を観測した。劈開により調製した表面に対して正の試料バイアス電圧でBi原子から成る正方格子が観測された。負の試料バイアス電圧では,Bi-Bi方向に沿って,NdO_0.7F_0.3BiSe₂で以前に報告されたようなストライプ構造が観測された。さらに,斜め方向に沿って格子定数の約5倍の周期の超変調を観測した。これは,ネスティング描像に帰せられる電子不安定性よりも,この系の構造不安定性を示していると思われる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *走査型トンネル顕微鏡 ,  トンネル分光法 ,  表面構造 ,  劈開【結晶】 ,  不安定性 ,  電圧 ,  *ランタン化合物 ,  酸化物 ,  フッ化物 ,  セレン化物 ,  *ビスマス化合物 ,  超伝導体 ,  電荷密度波 ,  *変調構造
準シソーラス用語： Fermi面ネスティング ,  バイアス電圧 ,  構造不安定性 ,  *走査型トンネル分光法

分類 (1件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

引用文献 (47件)：

• Y. Mizuguchi, H. Fujihisa, Y. Gotoh, K. Suzuki, H. Usui, K. Kuroki, S. Demura, Y. Takano, H. Izawa, and O. Miura, Phys. Rev. B 86, 220510(R) (2012).
• Y. Mizuguchi, S. Demura, K. Deguchi, Y. Takano, H. Fujihisa, Y. Gotoh, H. Izawa, and O. Miura, J. Phys. Soc. Jpn. 81, 114725 (2012).
• S. Demura, Y. Mizuguchi, K. Deguchi, H. Okazaki, H. Hara, T. Watanabe, S. J. Denholme, M. Fujioka, T. Ozaki, H. Fujihisa, Y. Gotoh, O. Miura, T. Yamaguchi, H. Takeya, and Y. Takano, J. Phys. Soc. Jpn. 82, 033708 (2013).
• H. Lei, K. Wang, M. Abeykoon, E. S. Bozin, and C. Petrovic, Inorg. Chem. 52, 10685 (2013).
• J. Xing, S. Li, X. Ding, H. Yang, and H. Wen, Phys. Rev. B 86, 214518 (2012).

タイトルに関連する用語 (4件)： 走査型トンネル顕微鏡 ,  分光法 ,  変調 ,  観測